[发明专利]包括相变存储单元的存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

第一相变存储单元，所述第一相变存储单元连接在第一位线与第一字线之间；

X译码器，所述X译码器被配置为在用于将所述第一相变存储单元的状态从设置状态改变为复位状态的复位写入操作期间，向所述第一字线提供选择字线电压；

Y译码器，所述Y译码器被配置为在所述复位写入操作期间，向所述第一位线提供选择位线电压；以及

电压偏置电路，所述电压偏置电路被配置为：

在所述复位写入操作的第一时段期间，基于第一电压偏置产生所述选择字线电压和所述选择位线电压，

在所述复位写入操作的第二时段期间，基于大于所述第一电压偏置的第二电压偏置来产生所述选择字线电压和所述选择位线电压，以及

在所述复位写入操作的第三时段期间，基于小于所述第一电压偏置和所述第二电压偏置的第三电压偏置来产生所述选择字线电压和所述选择位线电压。

2.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括电流偏置电路，所述电流偏置电路被配置为：

在所述复位写入操作的所述第一时段期间，向所述第一位线提供第一电流偏置；

在所述复位写入操作的所述第二时段期间，向所述第一位线提供第二电流偏置；以及

在所述复位写入操作的所述第三时段期间，向所述第一位线提供第三电流偏置。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中：

所述电流偏置电路包括多个开关和多个电容器，并且

所述多个开关中的每个开关和所述多个电容器中的每个电容器连接在输出节点与特定电压之间，所述第一电流偏置、所述第二电流偏置和所述第三电流偏置分别在所述第一时段、所述第二时段和所述第三时段中从所述输出节点输出。

4.根据权利要求3所述的存储器件，所述存储器件还包括被配置为控制所述多个开关的控制逻辑电路。

5.根据权利要求2所述的存储器件，其中：

所述第一电流偏置对应于设置写入电流的大小，

所述第二电流偏置对应于复位写入电流的大小，并且

所述第三电流偏置等于或小于保持电流的大小，所述保持电流是用于维持所述第一相变存储单元的接通状态的最小电流。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一相变存储单元包括：

双向阈值开关，所述双向阈值开关与所述第一位线连接；以及

相变材料，所述相变材料连接在所述双向阈值开关与所述第一字线之间。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一相变存储单元包括：

双向阈值开关，所述双向阈值开关与所述第一字线连接；以及

相变材料，所述相变材料连接在所述双向阈值开关与所述第一位线之间。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一位线在第一方向上延伸，并且所述第一字线在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的存储器件，所述存储器件还包括第二相变存储单元，所述第二相变存储单元在垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面的方向上堆叠在所述第一相变存储单元上方，并且与所述第一位线和在所述第二方向上延伸的第二字线连接。

10.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括补偿电路，所述补偿电路被配置为将基于所述存储器件的温度或所述第一相变存储单元的物理位置确定的偏移施加到所述第一电压偏置、所述第二电压偏置和所述第三电压偏置中的每一个电压偏置。