[发明专利]存储器电路的位线预充电电路和方法在审
申请号: | 202111199397.8 | 申请日: | 2021-10-14 |
公开(公告)号: | CN114078495A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 桑吉夫·库马尔·甄恩;鲁钦·詹;阿伦·阿丘坦;阿图尔·卡多奇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/24 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 电路 位线预 充电 方法 | ||
本发明的实施例提供了用于控制存储器电路的唤醒操作的系统和方法。存储器电路被配置为在唤醒期间顺序地对存储器阵列的位线进行预充电。存储器单元的第一位线接收睡眠信号,然后在第二互补位线预充电之前发生设计延迟。然后睡眠信号可以在每条位线的预充电之间具有进一步延迟的情况下对第二存储器单元的位线进行预充电。存储器电路被配置为当与该单元相关联的操作被指定时,同时对该存储器单元的两条位线进行预充电。
技术领域
本申请描述的技术总体涉及半导体存储器系统,更具体地,涉及用于半导体存储系统的的位线预充电电路系统和方法。
背景技术
存储体是存储的逻辑单元。存储体通常包括多行多列的存储器单元(存储器单元)。睡眠信号被布线至存储体以对位单元进行预充电以进行唤醒或操作。可以生成唤醒信号,该唤醒信号具有关联的功率成本以在低功率或睡眠状态之后使存储器单元准备工作。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种位单元预充电电路,包括:操作性预充电电路,被配置为对与操作相关联的位单元的第一位线和第二位线同时进行预充电;唤醒预充电电路,被配置为顺序地对第一位单元的第一位线、所述第一位单元的第二位线、第二位单元的第一位线和所述第二位单元的第二位线进行预充电。
根据本发明的另一个方面,提供了一种位线预充电电路,包括:第一存储器单元的第一位线,被配置为接收第一预充电信号;以及所述第一存储器单元的第二互补位线,被配置为接收第二预充电信号,其中,所述第一预充电信号与所述第二预充电信号具有不同的相位。
根据本发明的又一个方面,提供了一种预充电位单元的方法,包括:在唤醒操作期间:对第一位单元的第一位线进行预充电,然后对所述第一位单元的第二位线进行预充电;然后对第二位单元的第一位线进行预充电,接着对所述第二位单元的第二位线进行预充电;在与所述第一位单元和所述第二位单元中的一个相关联的操作期间:同时对与所述操作相关联的位单元的第一位线和第二位线进行预充电。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
图1是描述实施例中被配置为接收睡眠和唤醒命令的存储器电路的示意图。
图2是根据实施例描述的包括睡眠信号和延迟元件的存储器架构的框图。
图3是实施例中用于半导体存储器(例如,SRAM)的实例电源管理电路的示意图。
图4是示出实施例中图3的电源管理电路的实例操作的时序图。
图5A至图5B描述了实施例中可以例如用作图3中的一个或多个延迟元件的延迟元件的实例。
图6是实施例中用于半导体存储器(例如,SRAM)的另一实例性电源管理电路的示意图。
图7是实施例中用于半导体存储器(例如,SRAM)的电源管理电路的另一实例。
图8是实施例中用于半导体存储器(例如,SRAM)的电源管理电路的附加实例。
图9是实施例中用于半导体存储器(例如,SRAM)的电源管理电路的另一实例。
图10A至图10B是实施例中用于控制存储器阵列的唤醒操作的实例方法的流程图。
图11是实施例中用于控制存储器阵列的唤醒操作的实例方法的流程图。
具体实施方式
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