[发明专利]纳米压印胶层的制作方法和光学元件

权利要求书

1.一种纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S10：在基底(10)上涂布胶水并形成厚度均匀的胶层(20)；

步骤S20：将掩模板(40)放置在所述胶层(20)的上方形成中间件；

步骤S30：将所述中间件放入干法刻蚀设备内进行刻蚀形成厚度不均匀的刻蚀件；

步骤S40：若需要刻蚀的区域(30)的数量N大于1，则将所述掩模板(40)移动到预设位置后重复N-1次所述步骤S20至所述步骤S30后执行步骤S50；若需要刻蚀的区域(30)的数量N等于1，则执行步骤S50；

所述步骤S50：将所述刻蚀件取出，并将所述掩模板(40)与所述胶层(20)分离，并对所述胶层(20)压印。

2.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，所述步骤S10包括：

在所述基底(10)上涂布胶水并形成厚度均匀的胶层(20)的过程中，采用旋涂工艺涂布所述胶水。

3.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，所述步骤S10包括：

在所述基底(10)上涂布胶水并形成厚度均匀的胶层(20)的过程中，在所述基底(10)上涂布预设体积的胶水，以使形成的所述胶层(20)的厚度在500nm到1500nm范围内。

4.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，所述步骤S10还包括：在形成所述胶层(20)后，对所述胶层(20)进行预烘烤。

5.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，在所述步骤S10与所述步骤S20之间还包括步骤S11：在所述胶层(20)远离所述基底(10)的表面镀薄膜层。

6.根据权利要求5所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，所述步骤S11包括：

在所述胶层(20)远离所述基底(10)的表面镀薄膜层的过程中，将所述基底(10)和所述胶层(20)放入到镀膜设备中；

采用TiN或者TiO₂材料在所述胶层(20)的表面进行镀膜形成TiN薄膜层或者TiO₂薄膜层。

7.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，在所述步骤S20中还包括：

将所述掩模板(40)放置在所述胶层(20)的上方并控制所述掩模板(40)与所述胶层(20)之间距离在0.1mm至1mm的范围内。

8.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，所述步骤S30包括：所述中间件放入所述干法刻蚀设备内后对裸露在所述掩模板(40)的中空结构(41)处的胶层(20)进行刻蚀，使得裸露在中空结构(41)处的胶层(20)的厚度变薄。

9.根据权利要求1所述的纳米压印胶层的制作方法，其特征在于，在所述步骤S40中，对不同的所述需要刻蚀的区域(30)的刻蚀时间不同，以使胶层(20)具有多个厚度不同的区域。

10.一种光学元件，其特征在于，采用权利要求1至9中任一项所述的纳米压印胶层的制作方法制作所述光学元件。