[发明专利]产生大区域均一手性场的结构

权利要求书

1.一种产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述结构包括：基底、第一石墨烯部、第二石墨烯部和金属条；所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部相互平行的设置在所述基底的一侧，且所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部之间设置有间隙，所述金属条设置在所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部远离所述基底的一侧，且所述金属条覆盖在所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部之间的间隙上，所述金属条的一端与所述第一石墨烯部连接，另一端与所述第二石墨烯部连接。

2.根据权利要求1所述的产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部之间的间隙的宽度为60nm-200nm。

3.根据权利要求2所述的产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述金属条的长度为800nm-2000nm。

4.根据权利要求3所述的产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述金属条的材料为贵金属层材料。

5.根据权利要求4所述的产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述结构还包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述第一石墨烯层和所述基底之间，所述第二金属层设置在所述第二石墨烯层和所述基底之间。

6.根据权利要求5所述的产生大区域均一手性场的结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为贵金属材料。

7.一种产生大区域均一手性场的系统，其特征在于，所述结构系统包括：微管道和权利要求1-6任意一项所述的产生大区域均一手性场的结构，所述微管道设置在所述结构的第一石墨烯部和第二石墨烯部之间的间隙中，且所述微管道与所述第一石墨烯部和所述第二石墨烯部的连接线垂直，所述微管道用于通入手性分子。