[发明专利]使用帽盖和包裹式电介质间隔体的垂直金属划分

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

支撑结构；

包括第一导电线的第一金属化层，其中，所述第一导电线的侧壁被第一电介质间隔体材料和第一层间电介质(ILD)材料包围，使得对于所述第一导电线的每个侧壁，所述第一电介质间隔体材料位于所述第一ILD材料和所述第一导电线的导电材料之间；以及

包括第二导电线的第二金属化层，其中，所述第二导电线的侧壁被第二电介质间隔体材料和第二ILD材料包围，使得对于所述第二导电线的每个侧壁，所述第二电介质间隔体材料位于所述第二ILD材料和所述第二导电线的导电材料之间；

其中：

所述第一金属化层位于所述支撑结构和所述第二金属化层之间，并且

所述第一导电线和所述第二导电线在所述支撑结构上的投影基本平行。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第二电介质间隔体材料相对于所述第一ILD材料具有蚀刻选择性。

3.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一电介质间隔体材料相对于所述第一ILD材料具有蚀刻选择性。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC结构，其中，所述第一电介质间隔体材料相对于所述第二电介质间隔体材料没有蚀刻选择性。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC结构，其中，沿着所述第二导电线的侧壁之一的所述第二电介质间隔体材料与沿着所述第一导电线的侧壁之一的所述第一电介质间隔体材料接触。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC结构，其中，所述第一导电线和所述第二导电线是交错的。

7.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC结构，还包括沿着所述第一导电线的至少一个上边缘延伸的帽盖材料。

8.根据权利要求7所述的IC结构，其中，所述第一电介质间隔体材料相对于所述帽盖材料具有蚀刻选择性。

9.根据权利要求7所述的IC结构，其中，所述帽盖材料相对于所述第一ILD材料具有蚀刻选择性。

10.根据权利要求7所述的IC结构，其中：

所述帽盖材料是第一帽盖材料，

所述IC结构还包括沿着所述第二导电线的至少一个上边缘延伸的第二帽盖材料，并且

所述第二电介质间隔体材料相对于所述第二帽盖材料具有蚀刻选择性。

11.一种集成电路(IC)结构，包括：

支撑结构；

包括第一导电线的第一金属化层；以及

包括第二导电线的第二金属化层；

其中：

所述第一金属化层位于所述支撑结构和所述第二金属化层之间，

所述第一导电线和所述第二导电线是交错的，

所述第一导电线的侧壁共形地镶有第一电介质间隔体材料，

第一帽盖材料沿着所述第一导电线的至少一个上边缘延伸，并且

所述第一电介质间隔体材料相对于所述第一帽盖材料具有蚀刻选择性。

12.根据权利要求11所述的IC结构，其中，所述第二导电线的侧壁被第二电介质间隔体材料包围。

13.根据权利要求12所述的IC结构，其中，所述第二导电线与所述第一导电线通过所述第一电介质间隔体材料、所述第二电介质间隔体材料和所述第一帽盖材料中的一个或多个电隔离。

14.根据权利要求12或13所述的IC结构，其中，第二帽盖材料沿着所述第二导电线的至少一个上边缘延伸。

15.根据权利要求14所述的IC结构，其中，所述第二电介质间隔体材料相对于所述第二帽盖材料具有蚀刻选择性。