[发明专利]使用表面封端化学性质的薄膜电介质的选择性沉积

权利要求书

1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

使基板暴露于甲硅烷基酰胺，以与羟基终端第一基板表面反应，而形成甲硅烷基醚终端表面，所述基板具有氢终端第二基板表面，所述第一表面和所述第二表面中的一者或更多者包含电介质；以及

通过使所述基板暴露于一种或更多种沉积气体来优先于所述第一表面选择性地在所述第二表面上形成膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包含有机甲硅烷基酰胺。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺包含硅原子，所述硅原子大体上仅键结到碳和/或氮原子。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺大体上不含Si-H或Si-OH键。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述有机甲硅烷基酰胺包含三甲基甲硅烷基酰胺、三乙基甲硅烷基酰胺、乙基二甲基甲硅烷基酰胺、和/或二乙基甲基甲硅烷基酰胺中的一者或更多者。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包括酰胺，所述酰胺包含吡咯烷、吡咯、吡唑、二甲胺、二乙胺、乙基甲基胺、环状二级胺、饱和环胺和/或不饱和环胺中的一者或更多者。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述甲硅烷基酰胺包含1-三甲基甲硅烷基吡咯烷、1-三甲基甲硅烷基吡咯和/或3,5-二甲基-1-三甲基甲硅烷基吡唑中的一者或更多者。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一基板表面包含电介质。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述第二表面上形成预定量的膜之后蚀刻所述甲硅烷基醚终端表面，之后再次暴露于甲硅烷基酰胺，以再次形成所述甲硅烷基醚终端表面和另外的膜形成。

10.如权利要求9所述的方法，其中在不超过300个原子层沉积循环之后蚀刻并再次形成所述甲硅烷基醚终端表面。

11.如权利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于所述甲硅烷基酰胺持续在约10秒至约60分钟的范围中的时间。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述膜包含SiN。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述膜是通过原子层沉积所沉积的，所述原子层沉积包含依次暴露于含硅气体和含氮气体。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述含硅气体包含硅烷、乙硅烷、丙硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅、六氯乙硅烷(HCDS)、卤化碳硅烷中的一者或更多者。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述含氮气体包含含氮等离子体、氨、胺、肼和/或碳氮化物中的一者或更多者。

16.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

提供基板，所述基板包含第一基板表面和第二基板表面，所述第一基板表面具有羟基终端表面，所述第二基板表面具有氢终端表面，所述第一基板表面和所述第二基板表面中的一者或更多者包含电介质；

使所述第一基板表面的所述羟基终端表面与甲硅烷基酰胺浸泡反应以形成甲硅烷基醚终端表面；以及

通过原子层沉积工艺来优先于所述第一基板表面选择性地在所述第二基板表面上沉积氮化硅膜，在所述原子层沉积工艺中，所述基板相继暴露于含硅气体和含氮气体。