[发明专利]一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法

权利要求书

1.一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，将衬底(2)从真空室(1)中移出，气嘴(6)停止供氧气；

步骤2，利用溅射电源(4)，向靶材(3)施加高频电力，以使所述靶材(3)向真空室(1)内溅射钒离子；

步骤3，利用外力，将步骤2中的所述钒离子引导朝向真空室(1)内的屏蔽件(5)和气嘴(6)的方向移动，并使所述钒离子附着在屏蔽件(5)和气嘴(6)上。

2.根据权利要求1所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：利用磁场，运动的所述钒离子在磁场内穿行即可产生外力。

3.根据权利要求2所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：所述磁场的磁感线的方向垂直于钒离子的溅射方向。

4.根据权利要求3所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：所述步骤3中，将所述钒离子引导向屏蔽件(5)和气嘴(6)的步骤为：

（1）将所述磁场移动至气嘴(6)的位置，使所述钒离子朝向气嘴(6)的方向移动，以使所述钒离子粘附在气嘴(6)上；

（2）将所述磁场移动至屏蔽件(5)的位置，使所述钒离子朝向屏蔽件(5)的方向移动，以使所述钒离子粘附在屏蔽件(5)上。

5.根据权利要求1所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：所述步骤1、步骤2和步骤3每隔制作氧化钒薄膜1片-25片的时间运行一次。

6.根据权利要求5所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：在停止制作氧化钒薄膜后立即运行所述步骤1、步骤2和步骤3。

7.根据权利要求1所述的一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，其特征在于：所述步骤2的运行时间为2-5分钟，所述步骤3的运行时间为6-10分钟。