[发明专利]一种显示面板和显示装置在审
申请号: | 202111207173.7 | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN113990902A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 王铸;石领;闫政龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
一种显示面板和显示装置,其中,显示面板包括:显示区和包围显示区的非显示区,显示区包括:第一显示区和位于第一显示区的至少一侧的第二显示区;第二显示区包括:间隔设置的第一区域和第二区域,第一区域和第二区域沿第一方向排布,第一显示区位于第一区域和第二区域之间;显示面板包括:基底以及依次叠设在基底上的电路结构层和发光结构层;电路结构层包括:多个驱动电路和多条沿第二方向延伸的数据信号线,发光结构层包括:多个发光元件;数据信号线设置为向驱动电路提供数据信号,驱动电路设置为驱动发光元件发光,第一方向和第二方向相交;发光元件位于第一显示区和第二显示区,驱动电路位于第一区域和第二区域。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,具体涉及一种显示面板和显 示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发 光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器 件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯 曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光元 件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显 示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
目前,全面屏手机的概念已在手机市场受到广泛的关注,也是未来手机 的发展方向。这种全面屏手机中,可以将摄像头隐藏起来以使正面可视区域 几乎全是屏幕,从而使用户得到较佳的显示效果。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要 求的保护范围。
第一方面,本公开提供了一种显示面板,包括:显示区和包围所述显示 区的非显示区,所述显示区包括:第一显示区和位于所述第一显示区的至少 一侧的第二显示区;所述第二显示区包括:间隔设置的第一区域和第二区域, 所述第一显示区位于所述第一区域和所述第二区域之间;
所述显示面板包括:基底以及依次叠设在所述基底上的电路结构层和发 光结构层;所述电路结构层包括:多个驱动电路和多条沿第二方向延伸的数 据信号线,所述发光结构层包括:多个发光元件;所述数据信号线设置为向 驱动电路提供数据信号,所述驱动电路设置为驱动发光元件发光,所述第一 方向和所述第二方向相交;
所述发光元件位于所述第一显示区和所述第二显示区,所述驱动电路位 于所述第一区域和所述第二区域。
在一些可能的实现方式中,所述第一显示区沿所述第二方向的长度小于 或者等于所述第二显示区沿所述第二方向的长度。
在一些可能的实现方式中,所述驱动电路沿第一方向的长度小于所述驱 动电路所连接的发光元件沿第一方向的长度。
在一些可能的实现方式中,所述驱动电路包括:第一驱动电路和第二驱 动电路;
所述第一驱动电路与第一发光元件连接,所述第二驱动电路与第二发光 元件连接,所述第一发光元件为位于所述第二显示区的发光元件,所述第二 发光元件为位于所述第一显示区的发光元件。
在一些可能的实现方式中,所述驱动电路包括:第一晶体管至第七晶体 管;所述发光元件包括:阳极、有机发光层和阴极;所述驱动电路的第六晶 体管的第二极与所述发光元件的阳极连接;
所述驱动电路的第六晶体管的第二极在所述基底上的正投影与所述驱动 电路所连接的发光元件的阳极在所述基底上的正投影不存在重叠区域。
在一些可能的实现方式中,所述电路结构层还包括:多个第一转接部, 所述第一转接部位于所述第一驱动电路的第六晶体管的第二极与第一发光元 件的阳极之间;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的