[发明专利]一种数据处理方法、系统、计算机设备及可读存储介质在审
申请号: | 202111208891.6 | 申请日: | 2021-10-18 |
公开(公告)号: | CN113936728A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 孔令波;高恩宇;郇一恒;刁占林;孟晶 | 申请(专利权)人: | 北京微纳星空科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/26;G11C29/42 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 彭星 |
地址: | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据处理 方法 系统 计算机 设备 可读 存储 介质 | ||
1.一种数据处理方法,其特征在于,应用于数据处理系统,所述数据处理系统包括ARM处理器、NAND Flash阵列和NOR Flash阵列,其中,所述ARM处理器包括第一缓存,所述第一缓存分别与所述NAND Flash阵列、所述NOR Flash阵列电连接;
所述ARM处理器在将待存储数据存储在所述NAND Flash阵列中时,将所述待存储数据的元数据分别存储在所述第一缓存和所述NOR Flash阵列中;
在所述数据处理系统重启后,所述ARM处理器读取所述NORFlash阵列中存储的所有所述待存储数据的元数据,并将读取到的所有所述待存储数据的元数据写入所述第一缓存中;
所述ARM处理器根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,读取所述NANDFlash阵列中存储的目标数据,并将读取到的所述目标数据写入所述第一缓存中。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述数据处理系统还包括第二缓存和校验模块,所述第二缓存分别与所述第一缓存、所述校验模块和所述NAND Flash阵列电连接,所述ARM处理器在将待存储数据存储在所述NAND Flash阵列中,包括:
所述ARM处理器将所述待存储数据存入所述第一缓存后,将所述第一缓存中的所述待存储数据存入所述第二缓存;
所述ARM处理器将所述第二缓存中的所述待存储数据存入所述NAND Flash阵列。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述ARM处理器根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,读取所述NAND Flash阵列中存储的目标数据,并将读取到的所述目标数据写入所述第一缓存中,包括:
所述ARM处理器根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,将所述NANDFlash阵列中的所述目标数据存入所述第二缓存,并将所述第二缓存中的所述目标数据传输至所述校验模块;
所述校验模块根据所述目标数据生成新校验码;
所述校验模块将原始校验码与所述新校验码进行对比,其中,所述原始校验码为所述ARM处理器将所述第一缓存中的所述待存储数据存入所述第二缓存后,所述校验模块根据所述第二缓存中的所述待存储数据生成的校验码;
若所述原始校验码与所述新校验码相同,所述校验模块将所述目标数据传输至所述第二缓存;若所述原始校验码与所述新校验码不同,所述校验模块根据所述原始校验码将所述目标数据进行校正,并将校正后的目标数据传输至所述第二缓存;
所述ARM处理器将从所述校验模块返回至所述第二缓存中的目标数据存入所述第一缓存。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述NAND Flash阵列包括至少一个NANDFlash存储器,所述ARM处理器在将待存储数据存储在所述NAND Flash阵列中,包括:
所述ARM处理器通过每个所述NAND Flash存储器与所述第二缓存建立的数据传输通道,将所述待存储数据存入所述NAND Flash存储器;
所述ARM处理器根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,将所述NANDFlash阵列中的所述目标数据存入所述第二缓存,包括:
所述ARM处理器根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,通过所述数据传输通道,将每个所述NAND Flash存储器中的所述目标数据存入所述第二缓存。
5.一种数据处理系统,其特征在于,所述数据处理系统包括ARM处理器、NAND Flash阵列和NOR Flash阵列,其中,所述ARM处理器包括第一缓存,所述第一缓存分别与所述NANDFlash阵列、所述NOR Flash阵列电连接;
所述ARM处理器,用于在将待存储数据存储在所述NAND Flash阵列中时,将所述待存储数据的元数据分别存储在所述第一缓存和所述NOR Flash阵列中;
在所述数据处理系统重启后,所述ARM处理器,用于读取所述NOR Flash阵列中存储的所有所述待存储数据的元数据,并将读取到的所有所述待存储数据的元数据写入所述第一缓存中;
所述ARM处理器,用于根据所述第一缓存中的所有所述待存储数据的元数据,读取所述NAND Flash阵列中存储的目标数据,并将读取到的所述目标数据写入所述第一缓存中。
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