[发明专利]一种高发光量子效率MoS2 有效
| 申请号： | 202111209380.6 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113800567B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 谢罗刚;龚高尚;冯世全;赵承周;孙敏;尚翠 | 申请（专利权）人： | 郑州轻工业大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K11/68 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张真真 |
| 地址： | 450000 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高发 光量子 效率 mos base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将MoS2粉末和铝离子插层剂氯化铝混合分散在N,N-二甲基甲酰胺中，采用超声的方法使溶液充分溶解，获得深灰色溶液；
（2）将步骤（1）所获溶液转移至反应釜中，放入烘箱，利用反应釜高温高压的水热反应使MoS2粉末得到充分的剥离，得到片层结构和量子点结构；
（3）反应完成后冷却至室温，将反应液多次离心清洗，取上清液；
（4）将步骤（3）获得的上清液用微孔滤头进行过滤，除去大颗粒大尺寸MoS2结构，得到淡黄色的MoS2量子点溶液；
（5）利用旋蒸仪除去MoS2量子点溶液中的溶剂，干燥后得到MoS2量子点粉末；
所述步骤（1）中MoS2粉末和氯化铝的质量比为1:0.2；
所述步骤（1）所得溶液中铝离子插层剂的浓度为750μM；
所述步骤（2）中水热反应的温度为180-200℃，时间为12h。
2.根据权利要求1所述的高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中微孔滤头的尺寸为0.22 μm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法制得的高发光量子效率MoS2量子点，其特征在于，所述高发光量子效率MoS2量子点为过渡金属硫化物层状材料。
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