[发明专利]半导体结构的键合方法和半导体设备在审

专利信息
申请号: 202111210755.0 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN113972143A 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 任小亮 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/67;H01L21/68;H01L23/544
代理公司: 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 代理人: 苗源
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 方法 半导体设备
【说明书】:

本公开提供了一种半导体结构的键合方法和半导体设备,涉及半导体技术领域,该半导体结构的键合方法包括:提供具有相对设置的第一面和第二面第一半导体结构;对第一面或第二面进行处理,形成具有第一键合面的至少一个第一单体;对第一半导体结构进行扩片处理;提供具有第二键合面的第二半导体结构;整体翻转第一半导体结构;对第一键合面与第二键合面进行对准处理;完成键合操作。本公开通过将具有至少一个第一单体的第一半导体结构进行整体翻转,而后再进行键合过程,大大减少了半导体结构键合过程中的翻转次数,避免了因多次翻转而导致的半导体结构的表面污染问题,从而有效提高了半导体结构的键合质量和键合效率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的键合方法和半导体设备。

背景技术

在半导体制造过程中,通常需要对半导体结构的各个表面进行各种工艺处理。随着半导体行业的发展,对半导体结构的集成度和功能的要求越来越高封装技术在半导体产品中扮演着越来越重要的角色。在电子设备的内部结构中,半导体结构例如芯片、功能元器件等的密集度不断增加,而器件关键尺寸不断较小,这给半导体封装行业带来极大挑战。

相关技术中,半导体结构的封装工艺制程中,具有键合面的半导体结构会被多次翻转,从而不可避免的造成半导体结构的键合面被污染,降低了半导体结构的键合效率和键合质量。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种半导体结构的键合方法和半导体设备。

本公开实施例的第一方面提供了一种半导体结构的键合方法,包括:

提供第一半导体结构,所述第一半导体结构具有相对设置的第一面和第二面;

对所述第一面或所述第二面进行处理,使所述第一面或所述第二面上形成至少一个第一单体,其中,所述第一单体具有第一键合面;

对所述第一半导体结构进行扩片处理;

提供具有至少一个第二单体的第二半导体结构,所述第二单体具有第二键合面,所述第二半导体结构固定;

整体翻转所述第一半导体结构,使所述至少一个第一单体的第一键合面与所述至少一个第二单体的第二键合面相对;

对所述至少一个第一单体和所述至少一个第二单体进行对准处理,使所述第一键合面与所述第二键合面对准;

所述第一键合面和所述第二键合面键合连接。

根据本公开的一些实施例,在整体翻转所述第一半导体结构,使所述第一键合面与所述第二键合面相对中,包括:

以所述第一半导体结构的任意一条中轴线为旋转轴,所述第一半导体结构旋转第一预设角度,以使所述第一键合面与所述第二键合面相对;

或者,

所述第一半导体结构具有曲线边缘,以所述第一半导体结构的任意一条边缘切线,或者,与所述边缘切线相互平行的平行线为翻转轴,所述第一半导体结构整体翻转第二预设角度,以使所述第一键合面与所述第二键合面相对。

根据本公开的一些实施例,在对所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行对准处理中,包括:

获取所述第一单体的第一中心点和第一标志;

获取所述第二单体的第二中心点和第二标志;

使所述第一中心点与所述第二中心点重合、所述第一标志与所述第二标志重合。

根据本公开的一些实施例,在获取所述第一单体的第一中心点和第一标志中,包括:

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