[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 202111211469.6 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113903839B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王锋;夏章艮;詹宇;聂恩松;何安和;彭康伟;林素慧 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
透明衬底，该透明衬底具备第一表面；
发光构造体，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；
绝缘介质层，包括覆盖于发光构造体的顶表面、侧壁的第一部分以及覆盖于发光构造体周围的透明衬底的第一表面的第二部分，具有第一开口和第二开口；
第一电极，通过所述第一开口与所述第一导电型半导体层电连接；
第二电极，通过所述第二开口与所述第二导电型半导体层电连接；
其中，所述绝缘介质层由硅氧化物，硅氮化物，镁氟化物，Al2O3，TiO2和Ti2O5中的一种或多种材料组成；所述绝缘介质层的第二部分设有导光开口。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述导光开口位于所述透明衬底的第一表面之上。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述导光开口的尺寸为2~10μm。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述导光开口的形状为环状，条状或孔状。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述发光构造体的顶表面的高度高于绝缘介质层的第二部分的高度。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层为单层或者多层结构。
7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层为布拉格反射层。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层覆盖在发光构造体顶表面的厚度不同于覆盖在发光构造体侧壁的厚度。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层覆盖在发光构造体侧壁的厚度为覆盖在第二导电型半导体层顶表面的厚度的40% ~ 90%。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述透明衬底的第一表面的边长介于200 ~ 300微米或100 ~ 200微米或40 ~ 100微米。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述透明衬底包括与第一表面相对的第二表面，第二表面为主要出光面。
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