[发明专利]UHF-RFID差分整流电路模块和差分整流电路

说明书

高性能UHF‑RFID差分整流电路模块和差分整流电路，涉及射频电子技术。本发明的高性能UHF‑RFID差分整流电路模块包括第一整流单元和第二整流单元，第一整流单元包括零号NMOS管、第二NMOS管、第四二极管和第五二极管，所述零号NMOS管漏极接直流输入端，源极接参考点，栅极通过第一电容接第一射频输入端；第四二极管和第五二极管串联设置于零号NMOS管栅极和直流输入端之间，第四二极管和第五二极管的连接点通过第二电容接第二射频输入端；第二NMOS管漏极和栅极接零号NMOS管的栅极，源极接直流输入端。本发明具有具有结构简单，面积紧凑，损耗小，效率高（80%以上）的特点。

技术领域

本发明涉及射频电子技术。

背景技术

图1示出了一种现有整流技术（欧洲专利EP 2420958A2），其为单端结构且NMOS管1392的栅端g1、PMOS管1394的栅端g2是直流常压，NMOS管1392、PMOS管1394的Vgs幅度较小，导通不够，关闭不严，故效率不高。单端结构级联时，单元之间需要缓冲电容，如图中的电容C4，这个电容可以是局部连接方式，也可以是全局连接方式。

图2示出了第二种现有整流技术（美国专利US 8,362,825B2），NMOS管524的栅端g1、PMOS管526的栅端g2实现了差分化，但第一个辅助电荷泵532、第二个辅助电荷泵534没有实现差分化，且由于NMOS管MN14、PMOS管MP8处会有电压损失，输入场强微弱的时候，可能导致NMOS管524的栅端g1、PMOS管526的栅端g2的工作点电压不够高(达到Vth)，从而影响灵敏度。

图1在NMOS管1392的栅端g1、PMOS管1394的栅端g2处没有做限压，一方面，一旦此两处栅端电压超过Vt过多(过驱动)，这几个主开关管就会关闭不严，电流会出现泄露或倒灌，影响整流效率甚至出现功能异常，因此辅助电荷泵的设计要非常小心，使得两处栅端的电压在合理范围内，图2同理。另一方面，为了保证大场强下不会过驱动，辅助电荷泵驱动能力会做小一些，往往会导致小场强下驱动不够，影响整流效率，从而影响灵敏度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题 是，提供一种高性能UHF-RFID差分整流电路模块以及差分整流电路，具有低损耗和高效率的特点。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，高性能UHF-RFID差分整流电路模块，包括第一整流单元和第二整流单元，其特征在于，

所述第一整流单元包括零号NMOS管、第二NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；

所述零号NMOS管漏极接直流输入端，源极接参考点，栅极通过第一电容接第一射频输入端；

第二NMOS管漏极和栅极接零号NMOS管的栅极，源极接直流输入端；

第四NMOS管的栅极和漏极接直流输入端，源极通过第二电容接第二射频输入端，

第五NMOS管的栅极和漏极接第四NMOS管的源极，源极接零号NMOS管的栅极；

所述第二整流单元包括第一PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管；

所述第一PMOS管漏极接直流输出端，源极接参考点，栅极通过第三电容接第一射频输入端；

第三PMOS管漏极和栅极接第一PMOS管的栅极，源极接直流输出端；

第六NMOS管的栅极和漏极接第一PMOS管的栅极，源极通过第四电容接第二射频输入端，

第七NMOS管的栅极和漏极接第六NMOS管的源极，源极接直流输出端；

所述参考点通过一个主电容接第二射频输入端。

进一步的，第四二极管为第四NMOS管构成，其栅极和漏极接直流输入端，源极通过第二电容接第二射频输入端，