[发明专利]一种全彩化Micro-LED显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，包括：驱动面板、三基色Micro-LED芯片阵列、曲面反射镜阵列和封装胶；所述三基色Micro-LED芯片阵列、所述曲面反射镜阵列均置于所述驱动面板上；

所述三基色Micro-LED芯片阵列包括若干个倒装红光Micro-LED芯片、倒装绿光Micro-LED芯片和倒装蓝光Micro-LED芯片；所述曲面反射镜阵列包括若干个曲面反射镜，若干个所述曲面反射镜形成空腔阵列，所述空腔阵列的内壁上沉积有反射层；所述空腔阵列中依次放置有所述倒装红光Micro-LED芯片、所述倒装绿光Micro-LED芯片和所述倒装蓝光Micro-LED芯片；所述封装胶填充于所述空腔阵列中，且所述封装胶覆盖Micro-LED芯片和所述曲面反射镜。

2.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述倒装红光Micro-LED芯片、所述倒装绿光Micro-LED芯片和所述倒装蓝光Micro-LED芯片中的DBR反射层均采用变厚度的高反射全角DBR反射层。

3.根据权利要求2所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述变厚度的高反射全角DBR反射层为折射率不同的两种材料交替排列组成的周期性薄膜；

所述变厚度的高反射全角DBR反射层包括多对由高折射率材料和低折射率材料组成的叠层结构；各叠层结构中的高折射率材料和低折射率材料的厚度满足以下条件：

n_Ht_H＝n_Lt_L＝λ/4；

其中，n_H和n_L分别是高折射率材料的折射率和低折射率材料的折射率，t_H和t_L分别是高折射率材料的厚度及低折射率材料的厚度，λ为叠层结构的中心反射波长。

4.根据权利要求3所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述叠层结构的对数大于等于14对，各叠层结构的中心反射波长为从红光、绿光到蓝光波段；其中，红光波段为620nm到770nm，绿光波段为492nm到590nm，蓝光波段为390nm到492nm。

5.根据权利要求4所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述高折射率材料采用Ti₃O₅，所述低折射率材料采用SiO₂；所述变厚度的高反射全角DBR反射层包括14对Ti₃O₅/SiO₂叠层结构，各叠层结构的中心反射波长依次为：689nm、647nm、645nm、631nm、619nm、619nm、585nm、543nm、502nm、497nm、464nm、437nm、433nm和390nm。

6.根据权利要求2所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述变厚度的高反射全角DBR反射层的反射率大于90％。

7.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述空腔阵列的内壁上沉积的所述反射层对红光、绿光和蓝光波段的反射率均大于90％；

所述空腔阵列的内壁上沉积的所述反射层由金属反射层和防氧化层构成，所述金属反射层的厚度为100～200nm，所述防氧化层的厚度为200～400nm。

8.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED显示面板，其特征在于，所述空腔阵列中的每个空腔为内壁成圆弧状的碗状结构，所述碗状结构的顶部与底部之间的直径差为10μm～20μm，所述碗状结构的下部圆形直径大于Micro-LED芯片的对角线长度，所述碗状结构的下表面与所述驱动面板接触。