[发明专利]一种高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜及制备方法

权利要求书

1.一种高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于，所述胶膜按重量份包括以下组分：

其中，所述抗PID助剂为金属磷酸盐、金属氧化物、氢氧化物中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述抗PID助剂为磷酸氢锆、磷酸锌或氢氧化镁中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述高分子分散剂为2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、马来酸酐及其酯化物、甲基丙烯酸丁酯、苯乙烯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述交联剂为1,1-双(叔丁基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷、2,5-二甲基-2,5-双(过氧化叔丁基)己烷、过氧化-2-乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯、过氧化苯甲酰中的一种或多种；所述助交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、邻苯二甲酸二烯丙酯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述硅烷偶联剂为3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧乙氧基)硅烷中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述的紫外光吸收剂为二苯甲酮、双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸(4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇)酯中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜，其特征在于：所述抗氧剂为2,6-二叔丁基对甲酚、硫代二丙酸双十八酯、亚磷酸酯中的一种或多种。

8.权利要求1所述的高分散抗电势诱导衰减光伏封装胶膜的制备方法，其特征在于：封装胶膜的制备方法为溶剂法，制备步骤为将各组分溶于有机溶剂中，并超声处理后倒入模具，经烘干后得到EVA粗膜；采用玻璃板-离型膜-EVA粗膜-离型膜-玻璃板的放置，于层压机中真空层压，冷却得到所需光伏封装胶膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：超声功率为180～220W，超声温度为25～40℃，超声时间为20～40min；真空层压的温度为140～155℃，真空度0.05～0.08MPa，压强为0.6～0.7MPa。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为甲苯、氯仿、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。