[发明专利]超导量子芯片及倒装焊芯片间距控制方法

权利要求书

1.一种倒装焊芯片间距控制方法，其特征在于，所述方法应用于超导量子芯片制备，所述超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片对应位置上均设置压接体，所述第一芯片和所述第二芯片中至少一片芯片表面设置至少一个承重体，所述方法包括：

根据设计需求确定所述压接体的数量、位置及面积，并确定所述支撑体的数量、位置及面积；其中所述支撑体的支撑面积大于所述压接体的压接面积；

所述支撑体的材料与所述压接体材料相同；

所述支撑体沿第一方向的高度与片间目标距离相关，所述第一方向为所述芯片进行压接的方向。

2.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法，其特征在于，压接前，所述第一芯片和所述第二芯片对应位置的所述压接体高度和大于所述支撑体高度和，压接过程中由于压接体与支撑体高度的差异致使压接体发生形变融合形成有效的电和/或机械连接。

3.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法，其特征在于，所述支撑体的数量为多个。

4.根据权利要求3所述的倒装焊芯片间距控制方法，其特征在于，多个所述支撑体相对于所述芯片的中心点对称设置。

5.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片中均设置至少一个支撑体。

6.一种超导量子芯片，其特征在于，包括：

第一芯片和第二芯片；

压接体，设置于所述第一芯片和所述第二芯片对应位置上，所述第一芯片与所述第二芯片通过对应位置上的所述压接体压接；以及

支撑体，设置于所述第一芯片和所述第二芯片中至少一片芯片表面，所述支撑体与所述压接体间隔设置，所述支撑体的支撑面积大于所述压接体的压接面积；

所述支撑体的材料与所述压接体材料相同，所述支撑体沿第一方向的高度与片间目标距离相关，所述第一方向为所述芯片进行压接的方向。

7.根据权利要求6所述的超导量子芯片，其特征在于，压接前，所述第一芯片和所述第二芯片对应位置的所述压接体高度和大于所述支撑体高度和，压接过程中由于压接体与支撑体高度的差异致使压接体发生形变融合形成有效的电和/或机械连接。

8.根据权利要求6所述的超导量子芯片，其特征在于，所述支撑体的数量为多个。

9.根据权利要求7所述的超导量子芯片，其特征在于，多个所述支撑体相对于所述芯片的中心点对称设置。

10.根据权利要求6所述的超导量子芯片，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片中均设置至少一个支撑体。