[发明专利]一种近红外二区发光/测温纳米探针及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种近红外二区发光/测温纳米探针，其特征在于，包括SiO₂核和包覆于所述SiO₂核的四层壳层，

所述壳层由内到外依次为激活层、过渡层、敏化层和惰性层；

所述激活层为掺杂Er³⁺和Yb³⁺的Gd₂O₃层；所述过渡层为掺杂Yb³⁺的Gd₂O₃层；所述敏化层为掺杂Nd³⁺和Yb³⁺的Gd₂O₃层；所述惰性层为Gd₂O₃层；

所述过渡层的厚度为1～4nm；所述敏化层中Nd³⁺的掺杂浓度为10～90mol％；所述激活层中Er³⁺的掺杂浓度为1～6mol％。

2.根据权利要求1所述近红外二区发光/测温纳米探针，其特征在于，所述近红外二区发光/测温纳米探针的平均粒径为100～130nm。

3.根据权利要求1所述近红外二区发光/测温纳米探针，其特征在于，所述SiO₂核的平均直径为70～95nm。

4.根据权利要求1所述近红外二区发光/测温纳米探针，其特征在于，优选地，所述过渡层的厚度为1.5～3nm。

5.根据权利要求4所述近红外二区发光/测温纳米探针，其特征在于，更优选地，所述过渡层的厚度为2nm。

6.权利要求1～5任一项所述近红外二区发光/测温纳米探针的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将SiO₂颗粒分散于水中，加入尿素、Gd³⁺、Er³⁺、Yb³⁺，在75～85℃下搅拌0.8～1.2h，得到SiO₂核-激活层前体；

S2.向SiO₂核-激活层前体中加入Gd³⁺、Yb³⁺，在75～85℃下搅拌0.8～1.2h，得到SiO₂核-激活层-过渡层前体；

S3.向SiO₂核-激活层-过渡层前体中加入Gd³⁺、Yb³⁺、Nd³⁺，在75～85℃下搅拌0.8～1.2h，得到SiO₂核-激活层-过渡层-敏化层前体；

S4.向SiO₂核-激活层-过渡层-敏化层前体中加入Gd³⁺，在75～85℃下搅拌0.8～1.2h，经过后处理，以650～1050℃加热处理2～8h，得到所述近红外二区发光/测温纳米探针。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，所述Gd³⁺为硝酸钆、氯化钆、硫酸钆中的一种或几种；所述Er³⁺为硝酸铒、氯化铒或硫酸铒中的一种或几种；所述Yb³⁺为硝酸镱、氯化镱或硫酸镱中的一种或几种；所述Nd³⁺为硝酸钕、氯化钕或硫酸钕中的一种或几种。

8.权利要求1～5任一项所述近红外二区发光/测温纳米探针在生物光学成像和/或生物光学测温中的应用，所述应用是非疾病诊断/治疗的。