[发明专利]一种硅碳千层结构负极材料的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种硅碳千层结构负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将石墨置于密封性良好的回转窑炉中，通入惰性气体，升温至450~900℃；

（2）向所述回转窑炉中通入硅源与惰性气体的混合气，经化学气相沉积后得到沉积硅的石墨；

（3）将所述回转窑炉升温至800~950 ℃，并通入碳源气体与惰性气体的混合气，经化学气相沉积后得到包覆硅碳的石墨；

（4）重复上述步骤（2）~（3）若干次后再经后处理得到所述硅碳千层结构负极材料；

步骤（2）中，硅的沉积量与步骤（1）中所述石墨的比表面积的比例为1：1.0~1.5；

重复步骤（2）时，硅的沉积量与步骤（1）中所述石墨的比表面积的比例为1：1.5~2.0；

步骤（3）中，所述碳的沉积量为所述包覆硅碳的石墨总重量的2~10%；

重复步骤（3）时，控制每次碳的沉积量保持不变；

步骤（4）中，重复步骤（2）~（3）的次数为2~4次。

2.根据权利要求1所述的硅碳千层结构负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中：

所述石墨选自人造石墨、隐晶质石墨、鳞片石墨、致密结晶状石墨中的一种或多种；

所述石墨的体积与所述回转窑炉的体积之比为1：2~3；

所述惰性气体选自氮气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的硅碳千层结构负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中：

所述硅源选自硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅中的一种或多种；

所述硅源与惰性气体的流速比为1：0.1~1。

4.根据权利要求1所述的硅碳千层结构负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中：

所述碳源气体选自甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔的一种或多种；

所述碳源气体与惰性气体的流速比为1：0.1~1。

5.根据权利要求1所述的硅碳千层结构负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述后处理包括除磁和筛分。

6.一种根据权利要求1~5任一项所述的方法制备的硅碳千层结构负极材料。