[发明专利]一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线有效

专利信息
申请号: 202111218589.9 申请日: 2021-10-20
公开(公告)号: CN113659329B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 段勇军;刘孔涛;李帅 申请(专利权)人: 南京众博达电子科技有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q23/00
代理公司: 南京创略知识产权代理事务所(普通合伙) 32358 代理人: 徐晓莲
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 剖面 结合 馈电 波导 阵列 天线
【权利要求书】:

1.一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,其特征在于:包括

金属基体(13),所述金属基体(13)包括有按照从上到下的顺序层叠的辐射层(1)、耦合层(4)和馈电网络层(5);

所述辐射层(1)包括有若干2x2辐射单元(2);

所述耦合层(4)包括有与2x2辐射单元(2)相同数量的耦合腔(14);

所述馈电网络层(5)具有馈电端口,且馈电网络层(5)的馈电端口到耦合层(4)依次包括等比功分器(6)、不等功分器Ⅰ(7)、不等功分器Ⅱ(8)和串馈辅助网络(9);

其中所述等比功分器(6)、不等功分器Ⅰ(7)和不等功分器Ⅱ(8)构成并联馈电网络;

所述2x2辐射单元(2)包括有四个圆角辐射孔(3),所述圆角辐射孔(3)用于将波导内能量辐射至空间中,所述四个圆角辐射孔(3)中的每个圆角辐射孔(3)外侧角的倒角尺寸为天线工作中心频率半波长,且所述圆角辐射孔(3)外侧角的倒角尺寸大于所述圆角辐射孔(3)内侧角的倒角尺寸;

所述圆角辐射孔(3)通过耦合腔(14)进行馈电,所述耦合腔(14)通过馈电网络层(5)进行馈电;

所述圆角辐射孔(3)的圆角为非对称倒角,用于调节单元方向图零点位置,以实现低副瓣;

所述馈电网络层(5)具有第二耦合缝隙(16),所述耦合腔(14)通过馈电网络层(5)上的第二耦合缝隙(16)馈电,所述耦合腔(14)呈方形,且其内配置有四个耦合腔脊片(15),四个所述耦合腔脊片(15)均为竖直长条状结构,用于调节2x2辐射单元的有源驻波及方向图;

所述串馈辅助网络(9)与所述并联馈电网络结合,形成一个低剖面的同相馈电网络层,所述串馈辅助网络(9)在整个馈电网络层(5)的位置为阵元四周边缘处。

2.根据权利要求1所述的一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,其特征在于:所述串馈辅助网络(9)为波导窄边纵缝耦合馈电,所述串馈辅助网络(9)具有第一耦合缝隙,且所述串馈辅助网络(9)的第一耦合缝隙之间相距一个导波波长,所述串馈辅助网络(9)采用的E面馈电波导尺寸与并联馈电网络E面波导尺寸一致,所述串馈辅助网络(9)的导波波长与2x2辐射单元(2)间距相等。

3.根据权利要求1所述的一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,所述不等功分器Ⅰ(7)为E面一分二波导功分器,配置有过渡模块(10)和第一功分调谐模块,所述过渡模块(10)直接与不等功分器Ⅰ(7)相结合,用于调节不等功分器Ⅰ(7)与整个馈电网络之间的匹配,所述第一功分调谐模块用于调节功率分配比和不等功分器Ⅰ(7)自身输入反射。

4.根据权利要求1所述的一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,其特征在于:所述等比功分器(6)配置有等比功分器调谐腔(12)和等比功分器调谐脊片(11),且所述等比功分器调谐腔(12)的宽边长度与所述等比功分器调谐脊片(11)深度之和等于所述等比功分器(6)支路E面波导宽边长度。

5.根据权利要求4所述的一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,其特征在于:所述等比功分器(6)具有H面功分网络,等比功分器(6)中的两路非标准波导口直接通过H面功分网络合成为一路标准输出波导端口(17),所述等比功分器调谐腔(12)和等比功分器调谐脊片(11)用于标准输出波导端口(17)到非标准波导端口的过渡。

6.根据权利要求1所述的一种低剖面串并结合馈电波导阵列天线,所述不等功分器Ⅱ(8)为E面一分二波导功分器,配置有第二功分调谐模块,所述第二功分调谐模块用于调节功率分配比和不等功分器Ⅱ(8)自身输入反射。

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