[发明专利]用于集成温度传感器的低功耗低开关泄露Δ-Σ模数转换器在审

专利信息
申请号: 202111219491.5 申请日: 2021-10-20
公开(公告)号: CN114050830A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 赵梦恋;季怀坤;赵依博;杨宇;寇毓臻;吴晓波 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H03M3/00 分类号: H03M3/00;G01K7/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 王琛
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成 温度传感器 功耗 开关 泄露 转换器
【说明书】:

发明公开了一种用于集成温度传感器的低功耗低开关泄露Δ‑Σ模数转换器,包括输入信号选择模块、电容阵列、第一级积分器、第二级积分器、开关电容模拟加法器、比较器、降采样滤波器以及数字逻辑控制单元。本发明中采样电容与DAC采用同一个电容,避免了多电容阵列的DAC以及多比特DEM的使用。此外,本发明与采样电容下极板相连的开关仅有6个,这大大减少由于开关断开引起的漏电流,增加了测温的准确性。本发明中采用了一种新的采样积分方案,在不引入共模输出的同时,减少了配给输入信号的复杂度,降低了系统功耗。

技术领域

本发明属于温度传感集成电路技术领域,具体涉及一种用于集成温度传感器的低功耗低开关泄露Δ-Σ模数转换器。

背景技术

随着物联网和人工智能的发展,人们对温度传感器的性能要求越来越高。与传统温度传感器相比,CMOS集成温度传感器将感温电路与模数转换器集成在同一芯片上,可直接输出数字信号,这有利于系统对温度信号的后续处理和快速响应。常见的温度读出需要两类信号:一类是PTAT(Proportional to absolute temperature,与绝对温度成正比)信号,另一类是与温度无关的参考信号;而通过使用不同比例的电流来偏置PNP对管可以实现上述两类信号。其中三极管PNP的基极发射极电压VBE呈现负温度特性,而采用不同偏置电流的PNP对管电压差ΔVBE则呈现正温度特性(PTAT特性),将VBE和ΔVBE进行线性组合即可得到与温度无关的参考电压VREF=VBE+αΔVBE,其中α为比例系数。由于温度信号频率较低,故一般采用Δ-Σ型ADC对其进行量化,将αVBE和VREF输入到ADC中进行量化即可得到两者的比值μ=αΔVBE/VREF,对μ进行线性计算后即可得到温度Dout=Aμ+B,其中A和B为固定系数。但现有的温度传感器读出电路存在以下几点不足:

1.部分量化电路直接在模拟域利用电阻产生参考电压VREF,由于器件的非理想特性将导致测量误差变大。

2.用于采样参考电压的DAC是含有多个电容的电容阵列,为了减少工艺偏差以及电容失配的影响,需要为其设计多比特DEM(Dynamic element matching,动态元素匹配)电路;这增加了电路设计的复杂性以及芯片的面积,更重要的是存在很多开关与采样电容直接相连,开关断开时的泄露电流会导致电容上电荷的丢失,导致测量误差增大。

3.目前读出电路可以将输入电容和DAC进行复用,来避免了多比特DEM的使用,但是由于其输入信号配给的问题,在积分器输出点会产生共模分量,虽然该分量会被共模反馈抑制,但由于ΔΣ是逐渐积累的过程,故会引起积分器工作的错误;此外该电路为了配给输入信号采用了较为复杂的控制逻辑,这增加电路设计的复杂性以及系统功耗。

发明内容

鉴于上述,本发明提供了一种用于集成温度传感器的低功耗低开关泄露Δ-Σ模数转换器,能够降低系统功耗,提高温度传感器的分辨率。

一种用于集成温度传感器的低功耗低开关泄露ΔΣ模数转换器,包括:

输入信号选择模块,用于系统反相输入信号的选择,在一个周期中根据不同的系统反馈值bs采样不同的反相输入信号;

电容阵列,根据输入信号产生相对应的下极板电压,其由两路差分形式的采样电容Cs1a和Cs1b构成;

第一级积分器,用于在积分相位时将电容阵列上的电荷转移到积分电容上;

第二级积分器,将经过一个ΔΣ周期后第一级积分器的输出电压储存在输入电容上,完成一个ΔΣ周期的延迟;

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