[发明专利]针对耐久性黑客的受管理NAND快闪存储器区控制

说明书

本申请案涉及针对耐久性黑客的受管理NAND快闪存储器区控制。所公开实施例是针对改进存储器装置的寿命。在一个实施例中，公开了一种系统，其包括主机处理器和存储器装置，其中所述主机处理器配置成从虚拟机接收写入命令，识别与所述虚拟机相关联的区识别符，用所述区识别符扩增所述写入命令，且对所述存储器装置发出所述写入命令，且所述存储器装置配置成接收所述写入命令，使用区配置表识别包括可由所述存储器装置写入的地址子集的区，且将数据写入到所述地址子集中的地址。

技术领域

本文中公开的至少一些实施例大体上涉及半导体装置，且确切地说，涉及改进快闪存储器装置的安全性。

背景技术

快闪存储器装置将数据存储在单元的阵列中，每一单元包括存储表示数据的位的电荷的一或多个晶体管元件。晶体管的基本物理特性使得每一单元支持影响单元的内容的固定数目或范围的操作。存储器单元可在发生故障之前编程或擦除的次数称为存储器单元的耐久性。

为了改进快闪存储器装置的使用期限，这些装置通常利用磨损均衡来跨越所有单元“扩展”编程/擦除(P/E)循环。具体来说，由快闪存储器控制器实施的磨损均衡例程布置数据，使得擦除和重写跨越存储器单元均匀分布。控制器通过分布为逻辑块地址(LBA)值分配的物理块地址(PBA)值来实施此重新布置。因此，每一存储器单元都被理论上编程和均匀地擦除，且没有哪个单元的故障速度比另一单元更快。

尽管使用磨损均衡例程，但例如NAND快闪装置的存储器装置仍然会由于恶意或不良写入软件而经受加速的耐久性故障，所述恶意或不良写入软件快速“耗尽”存储器阵列的P/E循环。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种系统，其包括主机处理器和存储器装置，其中主机处理器配置成从虚拟机接收写入命令，识别与虚拟机相关联的区识别符，用区识别符扩增写入命令，且对存储器装置发出写入命令，且存储器装置配置成接收写入命令，使用区配置表识别包括可由存储器装置写入的地址子集的区，且将数据写入到地址子集中的地址。

在另一方面中，本申请案进一步提供一种方法，其包括：从虚拟机(VM)接收写入命令，所述写入命令包含写入地址和待写入的数据；查询配置表以识别与VM相关联的区识别符；用区识别符扩增写入命令；以及对存储器装置发出写入命令。

在再一方面中，本申请案进一步提供一种方法，其包括：从主机处理器接收扩增的写入命令，所述扩增的写入命令包含写入地址、待写入的数据和区识别符；识别与区识别符相关联的物理地址集合；将写入地址映射到物理地址集合中的物理地址；以及将数据写入到物理地址。

附图说明

图1为根据本公开的一些实施例的存储器装置的框图。

图2为根据本公开的一些实施例的主机处理器的框图。

图3为根据本公开的一些实施例的用于防止耐久性黑客的方法的流程图。

图4为根据本公开的一些实施例的用于处理写入命令和防止耐久性黑客的方法的流程图。

图5为说明根据本公开的一些实施例的存储器系统的框图。

图6为说明展示本公开的各种实施例中使用的计算装置的实例实施例的计算装置的框图。

具体实施方式

如背景技术中所描述，磨损均衡跨越存储器阵列的所有单元“扩展”P/E循环。然而，恶意或不良实施的软件可在保持P/E循环中显现最小值的磨损均衡。具体来说，此软件可将过量的数据写入到存储器阵列。作为响应，存储器控制器将尝试跨越所有存储器单元分配P/E循环。然而，绝对的写入量可导致一些、大多数或所有存储器单元达到最大耐久性且使得此类单元发生故障。当写入足够数据时，软件可有效地破坏存储器装置(例如，固态装置或SSD)。