[发明专利]一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将预处理后玻碳电极作为工作电极、铂丝电极为辅助电极、Ag/AgCl电极为参比电极，利用循环伏安法，于0.1mol/L H₂SO₄溶液中，在扫描电位范围为0～1.5V、扫描速度为100mV/s的条件下，活化扫描至循环伏安图形稳定；

S2：取出S1处理后的玻碳电极，置于含有0.008～0.012mol/L铁氰化钾、6.0×10^-5～1×10^-4mol/L钴胺素、0.04～0.06mol/L氯化钾的混合溶液中，静置2min，在扫描电位范围为0～1.1V、扫描速度为50mV/s的条件下，循环伏安扫描15圈，即得所述基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器。

2.根据权利要求1所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述预处理后玻碳电极的制备方法为：采用玻碳电极作为基底电极，依次用粒径为1.0μmα-Al₂O₃粉、0.3μmβ-Al₂O₃粉、0.05μmγ-Al₂O₃粉打磨抛光至镜面，再分别乙醇溶液及硝酸溶液各自超声清洗5～8min，蒸馏水洗净、晾干后，得到预处理后玻碳电极。

3.根据权利要求2所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述乙醇溶液的体积浓度为45～55％。

4.根据权利要求2所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述硝酸溶液的体积浓度为40～50％。

5.根据权利要求1所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述铁氰化钾的浓度为0.01mol/L。

6.根据权利要求1所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述钴胺素浓度为8×10^-5mol/L。

7.根据权利要求1所述一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法，其特征在于，所述氯化钾浓度为0.05mol/L。

8.如权利要求1～7任一项所述的制备方法制出的基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器在L-半胱氨酸测定中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述应用的方法为：将所述的基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器作为工作电极、铂丝电极为辅助电极、Ag/AgCl电极为参比电极，构成三电极体系，在-1.2～1.0V的扫描电位范围下，以0.1mol/L氯化钾溶液为支持电解质，采用循环伏安法测定L-半胱氨酸。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述L-半胱氨酸的浓度在1.0×10^-5～5.0×10^-3mol/L的浓度范围内，与峰电流呈良好的线性关系，检出限为3.0×10^-7mol/L。