[发明专利]防串扰图像传感器在审
| 申请号： | 202111224618.2 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113851501A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 程刘锁;陈广龙;王函;张继亮;钱江勇 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防串扰 图像传感器 | ||
1.一种防串扰图像传感器，其特征在于，所述防串扰图像传感器包括：
第一导电类型衬底层，所述第一导电类型衬底层上形成第二导电类型外延层，所述成第二导电类型外延层连接正向电压；
第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第二导电类型外延层上；
光电二极管，所述光电二极管设于所述第一导电类型外延层中，从所述第一导电类型外延层的上表面向下延伸。
2.如权利要求1所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述光电二极管靠近所述第一导电类型外延层的部分处于反偏状态以抽取串扰电子。
3.如权利要求1所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型外延层的厚度范围为0.5μm至2μm。
4.如权利要求1所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包括第一导电类型重掺杂区和第二导电类型掺杂区；
所述第一导电类型重掺杂区位于所述第一导电类型外延层上表层，所述第二导电类型掺杂区的上表面与所述第一导电类型重掺杂区的下表面接触。
5.如权利要求1所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述防串扰图像传感器还包括浮置扩散区；
所述浮置扩散区位于所述第一导电类型外延层的表层，与所述光电二极管之间形成传输通路，所述传输通路上设置传输门晶体管。
6.如权利要求1至5中任一项所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
7.如权利要求5所述的防串扰图像传感器，其特征在于，所述传输门晶体管用于控制所述光电二极管与所述浮置扩散区之间的传输通路的通断。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
