[发明专利]一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法

权利要求书

1.一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法包括如下步骤：

(1)对多晶硅靶材和铜背板均进行打磨处理，分别得到多晶硅靶材粗糙面和铜背板粗糙面；

(2)对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；

(3)对所述镀镍多晶硅靶材进行第一超声波浸润处理，得到处理后多晶硅靶材；对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行第一浸润处理和第二超声波浸润处理，得到处理后铜背板；

(4)依次叠合处理后铜背板、铜丝和处理后多晶硅靶材，并在所述处理后多晶硅靶材上放置压块，冷却后完成钎焊。

2.根据权利要求1所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(1)所述打磨处理为砂纸打磨处理；

优选的，所述多晶硅靶材粗糙面的粗糙度为3～5μm；

优选地，所述铜背板粗糙面的粗糙度为5～10μm。

3.根据权利要求1或2所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(2)所述镀镍处理在物理气相沉积炉中进行；

优选地，所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第一超声波浸润处理的时间为20～40min；

优选地，所述第一超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W；

优选地，所述第一超声波浸润处理的过程中加入铟焊料。

5.根据权利要求1～4任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第一浸润处理为钢刷处理；

优选地，所述钢刷处理的时间为10～30min；

优选地，所述钢刷处理的过程中加入铟焊料。

6.根据权利要求1～5任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第二超声波浸润处理的时间为20～40min；

优选地，所述第二超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W；

优选地，所述第二超声波处理的过程中加入铟焊料。

7.根据权利要求1～6任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述铜丝的直径为0.3～0.6mm；

优选地，所述铜丝的数量为3～5根，优选为3根。

8.根据权利要求1～7任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述铜丝等间距放置在所述处理后铜背板上。

9.根据权利要求1～8任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述压块包括依次放置在所述处理后多晶硅靶材上的耐高温硅胶、木块和金属压块；

优选地，所述金属压块的质量为15～30kg。

10.根据权利要求1～9任一项所述的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法包括如下步骤：

(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为3～5μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为5～10μm铜背板粗糙面；

(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm；

(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1100～1300W的第一超声波浸润处理20～40min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理10～30min和超声功率为1100～1300W的第二超声波浸润处理20～40min，得到处理后铜背板；

(4)在所述处理后铜背板上放置直径为0.3～0.6mm的铜丝2～5根后，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶、木块和质量为15～30kg的金属压块，冷却后完成钎焊。