[发明专利]一种在硅表面制备尺寸可控银纳米粒子的方法

权利要求书

1.一种在硅表面制备尺寸可控银纳米粒子的方法，其特征在于，采用醇辅助无电化学沉积方法，通过醇试剂调控银纳米粒子在硅片表面的成核速率和生长速率，单步法沉积在硅片表面获得尺寸可控、分布均匀的银纳米粒子，具体步骤如下：

步骤1，硅片预处理：去除硅表面污染物及氧化层，形成氢键终止的硅表面，吹干，得到清洁的硅片表面；

步骤2，沉积溶液配制：将配比为1～5mol/L氢氟酸、0.0005～0.005mol/L硝酸银和体积百分比为79.8％的醇试剂配置成沉积溶液，把配制好的沉积溶液通过水浴预热；

步骤3，银纳米粒子的制备：将预处理后的硅片浸入沉积溶液中，反应一定时间后，倒去沉积溶液，用去离子水冲洗干净，吹干，得到在硅片表面形成一层具有一定粒子直径范围、分布均匀的银纳米粒子；

所述醇试剂为异丙醇或丙三醇；

所述银纳米粒子的直径范围为3～15nm，其直径通过所述醇试剂的种类进行调控。

2.根据权利要求1所述的的方法，其特征在于，所述步骤3中的反应时间为3～5min。

3.根据权利要求1所述的的方法，其特征在于，所述硅片为(100)取向的p型单晶硅片，其电阻率为1～10Ω·cm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的的方法，其特征在于，在步骤1中，分别利用丙酮、乙醇以及去离子水超声清洗以去除硅表面油污污染物；并利用5％氢氟酸浸泡去除氧化层。

5.根据权利要求1至3任一项所述的的方法，其特征在于，在步骤2中，所述水浴的温度为15～25℃。

6.根据权利要求1至5任一项所述的的方法，其特征在于，在步骤3中，将预处理后的硅片浸入沉积溶液中是将沉积溶液一直处于水浴处理中进行的。

7.根据权利要求1至3任一项所述的的方法，其特征在于，还包括：

步骤4，银纳米粒子的保存：将步骤3得到的硅片真空干燥保存。