[发明专利]一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法

权利要求书

1.一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法，其特征在于，采用无掩模、常温常压条件下的两步无电化学沉积技术，在硅片表面制备银纳米粒子层和网状银纳米链层，具体步骤如下：

a)硅片预处理：去除硅表面污染物及氧化层，形成氢键终止的硅表面，得到表面清洁的硅片；

b)沉积制备单层银纳米粒子：采用无电化学沉积技术，配制由氢氟酸、硝酸银、异丙醇组成的沉积液，该沉积液配比为1～5mol/L氢氟酸、0.0005～0.005mol/L硝酸银、6.5～10.6mol/L异丙醇；将预处理后的硅片浸于15～25℃水浴的沉积液中，反应3～5min，在硅片表面制备出均匀的单层银纳米粒子，用去离子水冲洗干净，氮气吹干；所述单层银纳米粒子的直径为5～15nm；

c)沉积制备双层银纳米结构：采用无电化学沉积技术，配制由氢氟酸、硝酸银组成的沉积液，该沉积液配比为0.5～2.5mol/L氢氟酸、0.0002～0.0025mol/L硝酸银；将沉积单层银纳米粒子后的硅片浸于15～25℃水浴的沉积液中，反应8～12min，在单层银纳米粒子上制备出网状银纳米链，形成银纳米粒子和网状银纳米链的双层银纳米结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片为(100)取向的p型单晶硅片，其电阻率为1～10Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤a)中，分别利用丙酮、乙醇以及去离子水超声清洗，去除硅表面油污污染物，再利用5％氢氟酸浸泡去除氧化层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

d)硅基SERS基底的保存：用去离子水冲洗干净，氮气吹干，获得硅基SERS基底，真空干燥保存。