[发明专利]NMOS晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202111226236.3 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114023651A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 江辉云;胡书怀;张志诚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构和位于所述浅沟槽隔离结构之间的P型阱区，所述衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构侧的第一侧墙；
以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一侧墙两侧的所述P型阱区中注入锗离子以形成硅锗区；
形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述栅极结构、所述第一侧墙、所述硅锗区和所述浅沟槽隔离结构；
形成应力层，所述应力层覆盖所述缓冲层；
执行退火工艺以在所述硅锗区和部分P型阱区中产生应力记忆；
去除所述应力层和所述缓冲层；以及，
形成第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙侧。
2.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第二侧墙之后，所述NMOS晶体管的制备方法还包括：
形成保护层，所述保护层覆盖所述第二侧墙侧的所述硅锗区和所述浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求2所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述保护层之后，所述NMOS晶体管的制备方法还包括：
以所述第二侧墙为掩膜，在所述保护层下的所述硅锗区中注入N型导电离子以形成浅掺杂漏结构。
4.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一侧墙两侧的所述P型阱区中注入锗离子以形成硅锗区的过程中，锗离子的剂量为1E15 atoms/cm3～1E16 atoms/cm3，注入能量为25KeV～45KeV。
5.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火工艺，工艺温度为800℃～1200℃，操作时间为60s～5400s。
6.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述应力层的材质为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述应力层的厚度为30nm～70nm。
8.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅。
9.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10nm～25nm。
10.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺去除所述应力层和所述缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
