[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法在审
申请号: | 202111226933.9 | 申请日: | 2021-10-21 |
公开(公告)号: | CN114005890A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 蒋松 |
地址: | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电极 贯穿 硅异质结 电池 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法,硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形;硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线,电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于硅异质结主体下表面的导电图形,电极贯穿孔的下端与导电图形相连,导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形,相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连,提高组件良率和可靠性,可最大限度地提高焊接性和导电性,有利于保证组件长期可靠性。
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法。
背景技术
按照栅线电极的不同,目前硅异质结太阳电池有银栅线硅异质结电池和铜栅线硅异质结电池两种技术路线。相对于银栅线,铜栅线具有无贵金属浆料消耗、电导率高、栅线形貌优、采用低温工艺制备并可进一步降低栅线线宽、增加受光面积等优势,被认为是银栅线电极的有力竞争者。
相关技术中,相邻的电池之间需要使用焊带将电池正面的栅线与相邻的电池背面的栅线相连,但是串焊机的焊灯会瞬间加热和放热,升温和降温速度较快,温度变化范围大且控制精度不高。当电池表面大面积串焊时,若瞬时温度上升到较高将会损伤异质结薄膜或对铜电极产生非常不利的影响,若温度下降到较低则会出现严重的虚焊,温度过高或过低均会影响电池的质量。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此,本发明的实施例提出一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池,所述硅异质结电池制作的光伏组件性能更高。
本发明还提出一种上述硅异质结电池的制备方法。
本发明第一方面实施例的具有电极贯穿孔的硅异质结电池包括:硅异质结主体、栅线、导电图形;所述硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,所述电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于所述硅异质结主体上表面和下表面的栅线,所述电极贯穿孔的上端与所述硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于所述硅异质结主体下表面的导电图形,所述电极贯穿孔的下端与所述导电图形相连,所述导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。
本发明实施例的硅异质结电池,电池通过设置电极贯穿孔将上表面栅线收集的电流汇集并引导到电池下表面的导电图形,相邻的电池之间使用焊带将第一电池下表面的导电图形与相邻第二电池下表面的栅线相连,不仅大幅降低焊接所涉及的范围,消除了电池上表面大面积串焊对异质结薄膜及铜电极的不利影响,提高组件良率和可靠性,还降低了对焊带宽度和光学特性的要求,可最大限度地提高焊接性和导电性;相邻电池之间焊接时焊带无需弯折,避免了常规正面主栅与背面主栅互联时由于焊带弯折使电池边缘变形而可能产生的内部应力,有利于保证组件长期可靠性。此外,这种电池结构和互联方式下,组件内电池可以更加紧密地排布,有利于提高单位面积的组件功率。
在一些实施例中,所述栅线包括多根主栅线和多根细栅线,多根所述主栅线相互平行,多根所述细栅线相互平行,所述主栅线和所述细栅线相互垂直。
在一些实施例中,所述电极贯穿孔均与所述硅异质结主体上表面的所述主栅线相连,所述电极贯穿孔为多个,多个所述电极贯穿孔与其对应的所述主栅线的相对位置均相同。
在一些实施例中,所述主栅线的长度方向上,所述电极贯穿孔到所述硅异质结主体边沿的距离为0.1-10mm。
在一些实施例中,所述电极贯穿孔的直径为10-2000μm。
在一些实施例中,所述电极贯穿孔的直径为50-500μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的