[发明专利]预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及存储设备

权利要求书

1.一种预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法，所述方法包括：

迭代地执行一个或更多个读取操作，直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据；

生成序列类别和纠错码解码信息，所述序列类别对应于成功读取操作，所述成功读取操为所述一个或更多个读取操作之中的基于其成功地得到所述读取数据的读取操作，所述纠错码即ECC；

基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段；

响应于确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段，基于所述序列类别和所述ECC解码信息执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测；以及

响应于确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段，基于所述序列类别、所述ECC解码信息和所述非易失性存储器件的阈值电压信息执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述序列类别包括与所述成功读取操作对应的索引值，

所述ECC解码信息包括作为对所述读取数据执行ECC解码的结果而计算出的错误比特的数目，并且

所述阈值电压信息包括第一阈值电压分布与第二阈值电压分布之间的差值，所述第一阈值电压分布在所述读取数据被编程到所述非易失性存储器件中包括的存储单元之后被立即测量，所述第二阈值电压分布在成功地得到所述读取数据之后被立即测量。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的确定所述非易失性存储器件的寿命阶段包括：

响应于所述索引值小于或等于参考索引值，确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段；和

响应于所述索引值大于所述参考索引值，确定所述非易失性存储器件对应于所述第二寿命阶段。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的确定所述非易失性存储器件的寿命阶段包括：

响应于确定所述索引值小于或等于参考索引值并且所述错误比特的数目小于或等于参考错误比特数目，确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段；和

响应于确定所述索引值大于所述参考索引值或者确定所述错误比特的数目大于所述参考错误比特数目，确定所述非易失性存储器件对应于所述第二寿命阶段。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述的执行粗略预测包括：

使用所述序列类别和所述ECC解码信息作为人工智能模型的输入数据执行所述粗略预测，并且

其中，所述的执行精细预测包括：

使用所述序列类别、所述ECC解码信息和所述阈值电压信息作为所述人工智能模型的所述输入数据执行所述精细预测。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述的执行粗略预测进一步包括：

使用所述序列类别、所述ECC解码信息作为所述人工智能模型的所述输入数据来预测所述非易失性存储器件的所述剩余寿命，并且

其中，所述的执行精细预测进一步包括：

使用所述序列类别、所述ECC解码信息和所述阈值电压信息作为所述人工智能模型的所述输入数据来预测所述非易失性存储器件的所述剩余寿命。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述非易失性存储器件的所述剩余寿命包括：所述非易失性存储器件的剩余编程/擦除循环和剩余保持时间中的至少一者。

8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

获取自我监测、分析及报告技术属性信息，所述自我监测、分析及报告技术属性信息包括重新映射扇区计数、寻道错误率、旋转重试计数、重新分配事件计数和当前待映射扇区计数中的至少一者，

其中，所述非易失性存储器件的所述剩余寿命基于所述序列类别、所述ECC解码信息、所述阈值电压信息和所述自我监测、分析及报告技术属性信息被预测。

9.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

基于学习序列类别、学习ECC解码信息和学习阈值电压信息生成所述人工智能模型。