[发明专利]一种发光结构

权利要求书

1.一种发光结构，其特征在于，包括：

基底、设置于基底表面的LED芯片以及设置于所述LED芯片远离所述基底一侧的反射电极；

所述基底上还设置有反射结构和发光调整层，所述反射结构环绕所述LED芯片设置，所述发光调整层环绕所述LED芯片的侧壁设置且位于所述反射结构和所述LED芯片之间；所述发光调整层远离所述基底的表面的邻近所述LED芯片的边为第一边，所述第一边与所述基底的距离等于所述LED芯片远离所述基底的表面与所述基底的距离；所述发光调整层包括量子点；

所述反射电极设置有通孔，所述LED芯片产生的光经所述通孔向上发射而出。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述LED芯片为蓝色LED芯片，所述量子点包括红量子点和绿量子点。

3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光调整层还包括聚二甲基硅氧烷PDMS。

4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述LED芯片包括依次层叠设置的P-GaN层、MQWS层和N-GaN层，所述P-GaN层设置于所述MQWS层邻近所述基底的一侧。

5.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光调整层远离所述基底的表面与所述基底平行。

6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，沿远离所述LED芯片的方向，所述发光调整层的厚度逐渐增大。

7.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，还包括：

封装结构，所述封装结构设置于所述反射电极远离所述基底的一侧，所述封装结构覆盖所述反射电极、所述LED芯片和所述发光调整层。

8.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，还包括：

金属电极，所述金属电极设置于所述LED芯片和所述基底之间。

9.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述封装结构包括硬质封装盖板或柔性封装层。