[发明专利]基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上采用微加工方法制备高密度微结构阵列模版；

对所述高密度微结构阵列模版进行等离子处理，在所述高密度微结构阵列模版上旋涂预聚液后将其固化形成高密度微结构阵列基底，将所述高密度微结构阵列基底从高密度微结构阵列模版剥离；

在所述高密度微结构阵列基底上覆盖电极掩模版，在其表面进行导电层沉积，得到高密度微结构阵列电极；

将所述高密度微结构阵列电极与所需的力敏材料和封装材料进行封装和集成，得到基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器。

2.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述基板是柔性高分子、陶瓷、不锈钢、硅片、石英或玻璃中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述微加工方法是激光加工或光刻中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述高密度微结构阵列是微圆锥阵列、微棱锥阵列或微棱柱阵列中的任意一种，阵列密度是1000mm^-2～250000mm^-2。

5.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述预聚液是柔性高分子预聚液PI、PDMS或Ecoflex。

6.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述高密度微结构阵列电极厚度≤1μm。

7.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，在所述对所述高密度微结构阵列模版进行等离子处理之前，还包括对所述高密度微结构阵列模版进行清洗。

8.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述等离子处理采用的气体是Ar/O₂混合气体，等离子体功率是50W～300W。

9.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述导电层沉积的方法是蒸镀、电镀或磁控溅射方法中的一种，所述导电层的电极材料包括金、银、铜、铂导电率高的金属材料中的一种。

10.根据权利要求1所述的基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，其特征在于，所述力敏材料是压阻或电容敏感材料中的一种，所述封装材料是PI、有机硅胶或有机树脂中的一种。