[发明专利]一种六方氮化硼单晶生长方法在审
| 申请号： | 202111231875.9 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113818072A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张相法;王大鹏;位星;王永凯;刘红伟;薛磊 | 申请（专利权）人： | 郑州中南杰特超硬材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/12 | 分类号： | C30B1/12;C30B29/40;C30B29/66 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 张晓萍 |
| 地址： | 450000 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 硼单晶 生长 方法 | ||
1.一种六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
（一）原料预处理
以hBN为原料，以MxByNz系熔剂为触媒，将原料和触媒充分混合；
所述MxByNz系熔剂，其中M为Mg或Ca；
以质量比计，原料hBN：触媒MxByNz系熔剂=100:20~50；
（二）压制
将步骤（一）中混合均匀物料在压制成圆柱状，随后装入石墨加热体中，并一步装入叶腊石组装块中；
（三）合成
将步骤（二）中组装好的叶腊石块放入六面顶压机的高压腔体中进行合成，合成压力条件为2.0~4GPa、温度为1300℃~1800℃，保温时间为10~60min；
合成完毕后，进一步提纯处理得到六方氮化硼单晶。
2.如权利要求1所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，hBN原料质量标准要求为：粒度≤2μm、纯度≥98.5%，MxByNz系熔剂触媒要求为：粒度≤100目。
3.如权利要求1所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，所述MxByNz系熔剂具体为：Ca3B2N4或Mg3B2N4。
4.如权利要求3所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，步骤（一）中，以质量比计，原料hBN：触媒MxByNz系熔剂Mg3B2N4=100:20；
步骤（三）中，合成压力条件为2.5GPa、温度为1300℃，保温时间为10min。
5.如权利要求3所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，步骤（一）中，原料hBN：触媒MxByNz系熔剂Mg3B2N4=100:30；
步骤（三）中，合成压力条件为3GPa、温度为1400℃，保温时间为20min。
6.如权利要求3所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，步骤（一）中，原料hBN：触媒MxByNz系熔剂Ca3B2N4=100:50；
步骤（三）中，合成压力条件为4GPa、温度为1700℃，保温时间为50min。
7.如权利要求3所述六方氮化硼单晶生长方法，其特征在于，步骤（一）中，原料hBN：触媒MxByNz系熔剂Ca3B2N4=100:50；
步骤（三）中，合成压力条件为3GPa、温度为1600℃，保温时间为60min。
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