[发明专利]金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法有效
| 申请号： | 202111232202.5 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114381802B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 会田英雄;泽边厚仁;木村丰;水野润;大岛龙司 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰;学校法人早稻田大学;株式会社迪思科 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 形成 结构 制造 方法 | ||
1.一种金刚石形成用结构体，其特征在于，由基底基板和在所述基底基板上形成的Ir薄膜构成，
所述基底基板的热膨胀系数为所述金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且所述基底基板的熔点为700℃以上，
所述Ir薄膜的X射线衍射图案中的全部峰的角度与所述基底基板的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
2.根据权利要求1所述的金刚石形成用结构体，其中，所述Ir薄膜的摇摆曲线中的(002)面的半高宽为700arcsec以下。
3.根据权利要求1或2所述的金刚石形成用结构体，其中，所述Ir薄膜的膜厚为1μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的金刚石形成用结构体，其中，所述基底基板为Si、多晶金刚石或烧结金刚石。
5.根据权利要求3所述的金刚石形成用结构体，其中，所述基底基板为Si、多晶金刚石或烧结金刚石。
6.一种金刚石形成用结构体的制造方法，其特征在于，其是权利要求1～5中任一项所述的金刚石形成用结构体的制造方法，所述制造方法具备：
Ir成膜工序，在具有700℃以上的熔点的模拟基板上将Ir薄膜成膜；
载置工序，以通过所述Ir成膜工序成膜的Ir薄膜与事先准备的基底基板相接触的方式，将成膜有所述Ir薄膜的所述模拟基板载置于所述基底基板，所述模拟基板为MgO或蓝宝石，所述基底基板为Si、多晶金刚石或烧结金刚石；
接合工序，在所述载置工序之后，将所述基底基板与所述Ir薄膜接合；和
去除工序，在所述接合工序之后，去除所述模拟基板。
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