[发明专利]一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构有效
| 申请号： | 202111233025.2 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114006139B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 姚剑平;孙科;杨秀强;杨先国;李庆东;李硕友;杨飞 | 申请（专利权）人： | 成都西科微波通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08;H01L23/66;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 韦海英 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 htcc 宽带 毫米波 垂直 联结 | ||
1.一种基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，包括：由上而下依次设置有HTCC衬底顶层电路、HTCC衬底上介质层、HTCC衬底中间层电路、HTCC衬底下介质层以及HTCC衬底底层电路的HTCC衬底，以及由上而下依次设置有PCB母板顶层电路和PCB母板接地平面的PCB母板；
所述HTCC衬底和PCB母板上依次串联有由第一共面波导（1）、第一类同轴（3）、第一带状线（5）、第二类同轴（7）、第二带状线（9）以及第二共面波导（11）形成的传输子结构；
所述第一共面波导（1）和第一类同轴（3）的级联处通过第一高低阻抗匹配子结构（2）进行匹配，所述第一类同轴（3）和第一带状线（5）的级联处通过第二高低阻抗匹配子结构（4）进行匹配，所述第一带状线（5）和第二类同轴（7）的级联处通过第三高低阻抗匹配子结构（6）进行匹配，所述第二类同轴（7）和第二带状线（9）的级联处通过直接匹配子结构（8）进行匹配，所述第二带状线（9）和第二共面波导（11）的级联处通过宽度渐变匹配子结构（10）进行匹配；
所述第一共面波导（1）的中心导体位于所述HTCC衬底顶层电路上；所述第一共面波导（1）的外导体包括：HTCC衬底顶层电路上位于第一共面波导（1）的中心导体两侧的钨导体面、HTCC衬底中间层电路上位于第一共面波导（1）的中心导体下方的钨导体面以及HTCC衬底上介质层上位于第一共面波导（1）的中心导体两侧并连接位于第一共面波导（1）的中心导体两侧的钨导体面和位于第一共面波导（1）的中心导体下方的钨导体面的垂直钨柱；
所述第一类同轴（3）的中心导体为位于HTCC衬底上介质层中坐标为（0，L2+2*L3）的垂直钨柱；所述第一类同轴（3）的外导体包括：HTCC衬底上介质层在Y方向距离第一类同轴（3）的中心导体为±L3的4个垂直钨柱；其中，L2表示HTCC衬底屏蔽垂直钨柱Y方向的间距，L3表示第一类同轴（3）屏蔽垂直钨柱与第一类同轴（3）的中心导体Y方向的间距；
所述第一高低阻抗匹配子结构（2）位于所述HTCC衬底顶层电路上，所述第一高低阻抗匹配子结构（2）连接所述第一共面波导（1）和所述第一类同轴（3）的中心导体；
所述第一带状线（5）的中心导体位于HTCC衬底中间层电路上；所述第一带状线（5）的外导体包括：HTCC衬底顶层电路上位于第一带状线（5）的中心导体上方的钨导体面、HTCC衬底中间层电路上位于第一带状线（5）的中心导体两侧的钨导体面、HTCC衬底底层电路上位于第一带状线（5）的中心导体下方的钨导体面以及HTCC衬底上介质层和HTCC衬底下介质层中位于第一带状线（5）的中心导体两侧并连接位于第一带状线（5）的中心导体上方的钨导体面、位于第一带状线（5）的中心导体两侧的钨导体面和位于第一带状线（5）的中心导体下方的钨导体面的垂直钨柱；
所述第二高低阻抗匹配子结构（4）位于HTCC衬底中间层电路上，所述第二高低阻抗匹配子结构（4）连接所述第一类同轴（3）和第一带状线（5）的中心导体；
所述第二类同轴（7）的中心导体为HTCC衬底下介质层中坐标为（0，0）的垂直钨柱；所述第二类同轴（7）的外导体包括：HTCC衬底下介质层在Y方向距离第二类同轴（7）的中心导体为±L3的4个垂直钨柱，其中，L3表示第二类同轴（7）屏蔽垂直钨柱与第二类同轴（7）中心导体Y方向的间距；
所述第三高低阻抗匹配子结构（6）位于HTCC衬底中间层电路上，所述第三高低阻抗匹配子结构（6）连接所述第一带状线（5）和第二类同轴（7）的中心导体。
2.根据权利要求1所述的基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，所述第二带状线（9）的中心导体为HTCC衬底底层电路上的焊盘和PCB母板顶层电路上的焊盘锡焊形成的共同体；所述第二带状线（9）的外导体包括：HTCC衬底顶层电路上位于第二带状线（9）的中心导体上方的钨导体面、HTCC衬底底层电路上位于第二带状线（9）的中心导体两侧的钨导体面和PCB母板顶层电路上位于第二带状线（9）的中心导体两侧的铜导体面锡焊形成的共同体、PCB母板接地平面上位于第二带状线（9）的中心导体下方的铜导体面以及HTCC衬底；
所述直接匹配子结构（8）位于HTCC衬底底层电路上，所述直接匹配子结构（8）连接第二类同轴（7）和第二带状线（9）的中心导体。
3.根据权利要求2所述的基于HTCC的超宽带毫米波垂直互联结构，其特征在于，所述第二共面波导（11）的中心导体位于PCB母板顶层电路上；所述第二共面波导（11）的外导体包括：PCB母板顶层电路上位于所述第二共面波导（11）的中心导体两侧的铜导体面、PCB母板接地平面上位于所述第二共面波导（11）的中心导体下方的铜导体面以及PCB母板中位于所述第二共面波导（11）的中心导体两侧连接所述两个铜导体面的垂直金属通孔；
所述宽度渐变匹配子结构（10）位于所述PCB母板顶层电路上，所述宽度渐变匹配子结构（10）连接第二带状线（9）和第二共面波导（11）的中心导体。
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