[发明专利]一种具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

a)按一定配比将过渡金属卤化物、导电高分子加入N-甲基吡咯烷酮中，超声，使其均一分散，形成混合物A；

b)将正极材料加入去离子水中，进行机械搅拌使其形成均一的混合物B；

c)在不断搅拌的情况下，将混合物A加入混合物B中继续搅拌；

d)重复水洗、抽滤，热处理得到具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属卤化物为p型掺杂剂，选自NbF₅、TaF₅、MoF₅、WF₅、RuF₅、PtCl₄、TiCl₄中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电高分子选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯乙炔、聚苯胺中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极材料选自镍钴锰酸锂(NCM)、镍钴锰酸铝(NCA)、层状镍锰酸锂(LNMO)、镍酸锂(LNO)中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述导电高分子与所述N-甲基吡咯烷酮的质量比为(2.0-8.0)：1；所述导电高分子与所述正极材料的质量比为(0.001-0.1)：1；所述过渡金属元素与所述正极材料的质量比为(0.0005-0.01)：1。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极材料：(N-甲基吡咯烷酮+去离子水)的质量比为(0.6-2.0)：1。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中超声时间为30-60min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中搅拌线速度为1.50-1.80m/s，搅拌时间为10min-30min；所述步骤c)搅拌线速度为1.50-1.80m/s，搅拌时间为30min-60min。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，热处理温度为200-320℃，热处理时间为2-5h。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料。