[发明专利]一种制作不同线密度光栅组合件的方法在审
| 申请号： | 202111233403.7 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113970803A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 沈磊;周教莲;黄晓洁;贾旭 | 申请（专利权）人： | 福州高意光学有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 不同 密度 光栅 组合 方法 | ||
1.一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：将不同线密度的光栅集中在一个基片上进行集中加工，在同一个基片上进行涂胶、曝光和显影，然后一次性刻蚀出不同线密度的光栅。
2.一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：将不同线密度的光栅集中在一个基片上进行集中加工，在同一个基片上进行涂胶、曝光和显影，然后以光刻胶作为掩膜，在刻蚀第一块光栅时，将其余光栅表面采用专用挡板覆盖以完成加工，采用相同的方法依次完成其他光栅的制造。
3.根据权利要求2所述的一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：所述光刻胶可以替换为金属Cr或二氧化硅。
4.一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：将不同线密度的光栅集中在一个基片上进行集中加工，在同一个基片上进行涂胶、半透过曝光和显影，然后利用氧气对光刻胶进行灰化处理，在第一次刻蚀工艺结束时，增加一步氧气工艺，实现对光刻胶掩膜的灰化反应，形成不同厚度梯度的光刻胶掩膜，完成复合光栅的分段刻蚀。
5.根据权利要求4所述的一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：所述光刻胶灰化反应的氧气可以替换为氢气、氮气或SF6。
6.一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：将不同线密度的光栅集中在一个基片上进行集中加工，以光刻胶为掩膜，采用套刻的方式，即在同一个基片上先完成第一块光栅的图案曝光，流转至刻蚀工序加工完毕后，更换另一块掩膜板，对该基片进行重复曝光，形成第二块光栅的图案后再次进行刻蚀工艺，以此类推完成其他块光栅的加工。
7.根据权利要求6所述的一种制作不同线密度光栅组合件的方法，其特征在于：所述光刻胶可以替换为金属Cr或二氧化硅。
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