[发明专利]一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置

权利要求书

1.一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述三维楔形铌酸锂薄膜波导装置包括铌酸锂层，所述铌酸锂层包括楔形层，所述楔形层包括楔形尖端和楔形尾端，所述楔形尖端用于匹配光纤模场，所述楔形尾端用于连接器件功能区域；

所述楔形尖端的厚度小于所述楔形尾端的厚度，所述楔形尖端的宽度小于所述楔形尾端的宽度。

2.根据权利要求1所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端的厚度至所述楔形尾端的厚度按照预设的函数规律性增大。

3.根据权利要求2所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端的厚度至所述楔形尾端的厚度呈线性增大。

4.根据权利要求1所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端的宽度包括楔形尖端底宽和楔形尖端顶宽，所述楔形尾端的宽度包括楔形尾端底宽和楔形尾端顶宽，所述楔形尖端底宽小于所述楔形尾端底宽，所述楔形尖端顶宽小于所述楔形尾端顶宽。

5.根据权利要求4所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端底宽至所述楔形尾端底宽呈线性增大，所述楔形尖端顶宽至所述楔形尾端顶宽呈线性增大。

6.根据权利要求4或5所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端的正视面呈三角形，即所述楔形尖端顶宽的值为零。

7.根据权利要求1所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，自下而上包括依次层叠设置的衬底层、绝缘层和所述铌酸锂层。

8.根据权利要求7所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述衬底层为铌酸锂层或者氧化硅层，所述绝缘层为氧化硅层；所述衬底层与所述绝缘层的厚度比为60～400，所述绝缘层与所述铌酸锂层的厚度比为3～17。

9.根据权利要求1或8所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述铌酸锂层还包括平板层，所述平板层设置于所述楔形层底部。

10.根据权利要求9所述的一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，其特征在于，所述楔形尖端的宽度小于所述平板层的前端宽度。