[发明专利]聚乙烯管的热熔接头的检测方法、系统、上位机

权利要求书

1.一种聚乙烯管的热熔接头的检测方法，其特征在于，应用于检测系统，所述检测系统包括：上位机、全聚焦成像组件、超声相控阵探头和设置在所述热熔接头上的水楔块；所述水楔块中包括空腔和注水孔；

所述方法包括：

所述上位机向所述全聚焦成像组件发送第一检测指令；

所述全聚焦成像组件根据所述第一检测指令，控制所述超声相控阵探头的阵元发出的超声波信号经所述水楔块射向所述热熔接头的第一被测区域；

所述全聚焦成像组件根据接收到的回波信号，生成所述第一被测区域的全矩阵数据，将所述第一被测区域的全矩阵数据发送至所述上位机；

所述上位机对所述第一被测区域的全矩阵数据进行成像处理，得到所述第一被测区域的全聚焦图像；

所述上位机对所述第一被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的检测结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全聚焦成像组件根据接收到的回波信号，生成所述第一被测区域的全矩阵数据，包括：

所述全聚焦成像组件获取所述超声相控阵探头的每一阵元被激励时，所述超声相控阵探头的所有阵元接收到的信号，将所述信号确定为对应阵元的回波信号；

所述全聚焦成像组件根据所有阵元的回波信号，生成所述热熔接头的第一被测区域内的全矩阵数据。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述超声相控阵探头依次对每一阵元进行激励，以使对应阵元经过水楔块向所述第一被测区域发出超声波信号；所述超声相控阵探头固定于所述水楔块上。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述超声相控阵探头包括N个阵元，所述第一被测区域中包括多个采样点；所述上位机对所述处理后的全矩阵数据进行成像处理，得到所述被测区域的全聚焦图像，包括：

所述上位机对每一所述采样点执行以下步骤：

按照i从1至N，j从1至N的顺序，所述上位机确定第i个阵元发射出的超声波信号到所述第一被测区域的采样点、再从所述采样点反射到第j个阵元的回波信号的传播距离；

所述上位机根据所述传播距离，确定所述采样点的第P个传播时延；所述P为所述i和所述j的乘积；

所述上位机根据所述采样点的M个传播时延，确定所述采样点的幅值；所述M为所述N的平方；

所述上位机根据多个采样点的幅值，生成所述第一被测区域内的全聚焦图像。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述上位机对所述第一被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的检测结果，包括：

所述上位机在所述第一被测区域的全聚焦图像满足特定条件的情况下，对所述第一被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的检测结果。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述上位机在所述第一被测区域的全聚焦图像不满足特定条件的情况下，向所述全聚焦成像组件发送第二检测指令；

所述全聚焦成像组件根据所述第二检测指令，控制所述超声相控阵探头的阵元发出的超声波信号经所述水楔块射向所述热熔接头的第二被测区域；

所述全聚焦成像组件根据接收到的回波信号，生成所述第二被测区域的全矩阵数据，将所述第二被测区域的全矩阵数据发送至所述上位机；

所述上位机对所述第二被测区域的全矩阵数据进行成像处理，得到所述第二被测区域的全聚焦图像；

所述上位机在所述第二被测区域的全聚焦图像满足所述特定条件的情况下，对所述第二被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的检测结果。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述上位机对所述第一被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的检测结果，包括：

所述上位机对所述第一被测区域的全聚焦图像进行分析，得到所述热熔接头的缺陷的类型、位置和尺寸；

所述上位机根据所述热熔接头的缺陷的类型、位置和尺寸，确定所述热熔接头的检测结果。