[发明专利]一种双辐射场的热中子参考辐射装置在审

专利信息
申请号: 202111235042.X 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN114114379A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 张健;任忠国;张辉;王平全;杨竣凯 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: G01T7/00 分类号: G01T7/00
代理公司: 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 代理人: 李娜
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 辐射 热中子 参考 装置
【权利要求书】:

1.一种双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,包括:第一保护层、第二保护层、中子源板、第一慢化层、第一均整透镜、第一辐射场、第一反射层、第二慢化层、第二均整透镜、第二辐射场以及第二反射层;

所述第一保护层设置在所述第二保护层之内,所述第一保护层内竖直设置所述中子源板;

所述中子源板向所述第一慢化层释放快中子群,快中子群经过所述第一慢化层慢化为热中子群,产生的热中子经过所述第一均整透镜得到均匀的热中子群,产生的均匀的热中子群经过所述第一反射层的反射得到含有热中子通量均匀且热中子注量率高的所述第一辐射场;

所述中子源板向所述第二慢化层释放快中子,快中子经过所述第二慢化层慢化为热中子占比高的热中子群,产生的热中子占比高的热中子群经过所述第二均整透镜得到均匀的热中子占比高的热中子群,产生的均匀的热中子占比高的热中子群经过所述第二反射层得到含有热中子通量均匀且热中子占比高的所述第二辐射场。

2.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述中子源板包括:第一石墨慢化层、中子源层以及第二石墨慢化层。

3.如权利要求2所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述中子源层包括:两个及两个以上的中子源;其中,两个及两个以上的中子源以所述中子源层上的中点为中心对称设置在所述中子源层上。

4.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,还包括保护板;

所述保护板正面设有滑轨,所述保护板通过滑轨与第二保护层连接;

当卸下所述第二反射层时,所述保护板用于密封第二保护层。

5.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述第一慢化层为石墨慢化层。

6.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述第二慢化层为重水慢化层。

7.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述第一均整透镜、所述第二均整透镜均为凸透镜。

8.如权利要求7所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述凸透镜的材质为高密度聚乙烯。

9.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述第二反射层侧壁上设有滑轨,所述第二反射层通过滑轨与第二保护层嵌合。

10.如权利要求1所述的双辐射场的热中子参考辐射装置,其特征在于,所述第二辐射场为所述第二反射层与第二保护层嵌合形成的空腔。

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