[发明专利]一种W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器

权利要求书

1.一种W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器，其特征在于，包括：

依次串联的电感L1、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元、电感L2、4dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、电感L3、16dB衰减单元和电感L4；

其中，所述电感L4的输出端并联有接地电容C0；所述0.5dB衰减单元、所述1dB衰减单元和所述2dB衰减单元采用简化的T型衰减单元；所述4dB衰减单元采用普通的π型衰减单元；所述8dB衰减单元和所述16dB衰减单元采用具有相移补偿作用的π型衰减单元；各衰减单元中的开关采用双极型晶体管；

每个衰减单元分配有一个用于切换衰减态和参考态的控制信号；所述4dB衰减单元、所述8dB衰减单元和所述16dB衰减单元内分别添加有反相器以产生与各自控制信号电平相反的反向控制信号。

2.根据权利要求1所述的W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器，其特征在于，所述简化的T型衰减单元，包括：

双极型晶体管Q1、电阻R1和电阻R2；

其中，所述双极型晶体管Q1的基极连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接该简化的T型衰减单元的控制信号CTRL；所述双极型晶体管Q1的集电极连接在该简化的T型衰减单元的信号输入端IN和信号输出端OUT之间，且该简化的T型衰减单元的所述信号输入端IN和所述信号输出端OUT直接相连；所述双极型晶体管Q1的发射极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器，其特征在于，所述普通的π型衰减单元，包括：

双极型晶体管Q2～Q5、电阻R3～R8；其中，

所述双极型晶体管Q2的集电极连接该普通的π型衰减单元的信号输入端IN、所述电阻R3的一端、所述双极型晶体管Q5的发射极以及所述双极型晶体管Q4的集电极；所述双极型晶体管Q2的发射极连接所述电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端接地；

所述双极型晶体管Q3的集电极连接该普通的π型衰减单元的信号输出端OUT、所述电阻R3的另一端、所述双极型晶体管Q5的集电极以及所述双极型晶体管Q4的发射极；所述双极型晶体管Q3的发射极连接所述电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接地；

所述双极型晶体管Q2和所述双极型晶体管Q3的基极之间串联所述电阻R4和所述电阻R5；所述电阻R4和所述电阻R5之间连接该普通的π型衰减单元的控制信号CTRL；

所述双极型晶体管Q4和所述双极型晶体管Q5的基极相连并连接所述电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端连接该普通的π型衰减单元的控制信号CTRL对应的反向控制信号其中，该普通的π型衰减单元的控制信号CTRL与反向控制信号利用该普通的π型衰减单元的反相器实现电平相反。

4.根据权利要求1所述的W波段的高精度低插损低附加相移的数控衰减器，其特征在于，所述具有相移补偿作用的π型衰减单元，包括：

双极型晶体管Q6～Q9、电阻R9～R12以及电容C1、电容C2；其中，

所述双极型晶体管Q6的集电极连接该具有相移补偿作用的π型衰减单元的信号输入端IN、所述电阻R9的一端、所述双极型晶体管Q9的发射极以及所述双极型晶体管Q8的集电极；所述双极型晶体管Q6的发射极连接所述电容C1的一端，所述电容C1的另一端接地；

所述双极型晶体管Q7的集电极连接该具有相移补偿作用的π型衰减单元的信号输出端OUT、所述电阻R9的另一端、所述双极型晶体管Q9的集电极以及所述双极型晶体管Q8的发射极；所述双极型晶体管Q7的发射极连接所述电容C2的一端，所述电容C2的另一端接地；

所述双极型晶体管Q6和所述双极型晶体管Q7的基极之间串联所述电阻R10和所述电阻R11；所述电阻R10和所述电阻R11之间连接该具有相移补偿作用的π型衰减单元的控制信号CTRL；

所述双极型晶体管Q8和所述双极型晶体管Q9的基极相连并连接所述电阻R12的一端，所述电阻R12的另一端连接该具有相移补偿作用的π型衰减单元的控制信号CTRL对应的反向控制信号其中，该具有相移补偿作用的π型衰减单元的控制信号CTRL与反向控制信号利用该具有相移补偿作用的π型衰减单元的反相器实现电平相反。