[发明专利]一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法

权利要求书

1.一种半导体缺陷分布成像检测方法，利用半导体缺陷分布成像检测装置，其特征在于：所述半导体缺陷分布成像检测装置包括电流电压源、三维平移台、连续激光光源、凸透镜、分束镜、滤光片和CCD相机；所述电流电压源用于给半导体光电器件样品施加正向电压或正向电流，以使所述半导体光电器件样品表面发出光信号；所述连续激光光源光子能量可调，且其光子能量与所述半导体光电器件样品内的任一深能级缺陷与价带的能量间隔相同，所述连续激光光源依次经过所述透镜和分束镜后聚焦至所述半导体光电器件样品表面，用于使所述半导体光电器件样品内的缺陷电子态饱和；所述三维平移台用于调节半导体光电器件样品的位置，使所述连续激光光源在所述半导体光电器件样品表面进行完整扫描；所述半导体光电器件样品的光信号依次经过所述分束镜和滤光片后投射到所述CCD相机上；

所述方法包括步骤a）、用电流电压源给半导体光电器件样品施加正向电压或电流，使所述半导体光电器件样品发出光信号，此时连续激光光源不出光，并用CCD相机测量所述半导体光电器件样品的发光成像；

步骤b）、使所述连续激光光源出光，所述连续激光光源依次经过透镜和分束镜后聚焦至所述半导体光电器件样品上某一位置点处，使所述半导体光电器件样品的缺陷电子态饱和；

步骤c）、用三维平移台控制所述半导体光电器件样品在平面内移动，使所述连续激光光源在所述半导体光电器件样品表面进行完整扫描，并用CCD相机测量所述半导体光电器件样品的发光成像；

步骤d）、将步骤c）的测量结果分别与步骤a）的测量结果对比；若步骤c）中某一位置点处的光信号强度大于步骤a）中的光信号强度，则该位置点处存在载流子复合缺陷，且该缺陷与所述连续激光光源光能量对应；若步骤c）中某一位置点处的光信号强度等于步骤a）中的光信号强度，则该位置点处不存在载流子复合缺陷。

2.如权利要求1所述的半导体缺陷分布成像检测方法，其特征在于：其还包括计算机，所述计算机用于采集与处理CCD相机的成像信号。

3.如权利要求1所述的半导体缺陷分布成像检测方法，其特征在于：所述三维平移台由步进电机控制。

4.如权利要求1所述的半导体缺陷分布成像检测方法，其特征在于：所述连续激光光源波长范围为300 nm-2000 nm，光谱半高宽范围为0.01 nm-10 nm。