[发明专利]红外焦平面芯片及其制备方法、红外焦平面探测器

权利要求书

1.一种红外焦平面芯片，包括衬底、红外敏感层以及于所述衬底上设置的 读出电路，所述读出电路和所述红外敏感层通过互连金属连接，其特征在于：在所述红外敏感层的正面设置n型区，在没有设置n型区的所述红外敏感层的背面设置抗反膜和不透红外光的金属层，其中抗反膜于红外敏感层上阵列分布，所述金属层与所述抗反膜图形互补设置，且所述抗反膜位于与正面n型区相对的背面，所述金属层位于正面没有n型区的区域相对的背面，所述金属层通过引线与公共电极地连接。

2.如权利要求1所述的红外焦平面芯片，其特征在于：所述阵列为沿X方向和Y方向阵列。

3.如权利要求1所述的红外焦平面芯片，其特征在于：所述金属层的线宽小于二分之一的像元间距。

4.如权利要求1所述的红外焦平面芯片，其特征在于：所述金属层为锡金，所述金属层的锡厚度大于1μm，所述金属层的金厚度大于0.5μm。

5.一种红外焦平面探测器，其特征在于：包括如权利要求1-4任一所述的红外焦平面芯片。

6.一种如权利要求 1-4 任一所述的红外焦平面芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

预先制备衬底、读出电路、红外敏感层、互连金属以及抗反膜；

通过负胶光刻工艺，在抗反膜上制备金属图形；

采用湿法腐蚀工艺去除所述金属图形对应的抗反膜，以裸露出抗反膜下方的红外敏感层；

在裸露出的红外敏感层上生长不透红外光的金属层，并剥离去除光刻胶和多余的金属；

最后，将所述金属层和所述读出电路的公共电极地通过引线连接。

7.如权利要求6所述的红外焦平面芯片的制备方法，其特征在于：采用5%稀HCl，腐蚀30s去除抗反膜。

8.如权利要求6所述的红外焦平面芯片的制备方法，其特征在于：采用电子束蒸发进行所述金属层的生长，所述金属层为锡金，所述金属层的锡厚度大于1μm，所述金属层的金厚度大于0.5μm。

9.如权利要求6所述的红外焦平面芯片的制备方法，其特征在于：采用湿法腐蚀工艺去除所述金属图形对应的抗反膜，且剩下的抗反膜于所述红外敏感层上阵列分布，阵列为沿X和Y方向阵列。