[发明专利]一种宽带高平坦度微带耦合器设计方法有效

专利信息
申请号: 202111239168.4 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113904084B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 笪余生;何文波;陶霞;宋阳;马磊强;罗洋;杜顺勇;何渊;霍炜 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘世权
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 平坦 微带 耦合器 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、在低频段通过电阻耦合支节实现相对平坦的带宽耦合效果,通过设计电阻耦合支节的电阻值实现需要的耦合量;

S2、在高频段通过电阻耦合与耦合线支节相结合,改善频率高端的耦合效果,使得高端耦合在宽的频带内实现高平坦耦合效果;

电阻耦合为竖直结构,垂直于微带线,耦合线支节为水平结构,平行于微带线,电阻耦合与耦合线支节之间的角度为90°。

2.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述电阻耦合支节和耦合线支节可进行小型化弯折,减小面积。

3.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述电阻耦合支节可设置在耦合线支节前、耦合线支节后或多阶耦合线支节之间。

4.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合线支节和电阻耦合支节的数量可根据实际性能需要调整。

5.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合器加工工艺包括薄膜工艺、微波印制工艺和共烧陶瓷工艺。

6.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合线支节为一级或多级。

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