[发明专利]一种宽带高平坦度微带耦合器设计方法有效
申请号: | 202111239168.4 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113904084B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 笪余生;何文波;陶霞;宋阳;马磊强;罗洋;杜顺勇;何渊;霍炜 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 刘世权 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 平坦 微带 耦合器 设计 方法 | ||
1.一种宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在低频段通过电阻耦合支节实现相对平坦的带宽耦合效果,通过设计电阻耦合支节的电阻值实现需要的耦合量;
S2、在高频段通过电阻耦合与耦合线支节相结合,改善频率高端的耦合效果,使得高端耦合在宽的频带内实现高平坦耦合效果;
电阻耦合为竖直结构,垂直于微带线,耦合线支节为水平结构,平行于微带线,电阻耦合与耦合线支节之间的角度为90°。
2.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述电阻耦合支节和耦合线支节可进行小型化弯折,减小面积。
3.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述电阻耦合支节可设置在耦合线支节前、耦合线支节后或多阶耦合线支节之间。
4.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合线支节和电阻耦合支节的数量可根据实际性能需要调整。
5.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合器加工工艺包括薄膜工艺、微波印制工艺和共烧陶瓷工艺。
6.根据权利要求1所述的宽带高平坦度微带耦合器设计方法,其特征在于,所述耦合线支节为一级或多级。
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