[发明专利]闸极驱动电路及包含其的驱动晶片有效

专利信息
申请号: 202111239864.5 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113689818B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 蔡水河;王国荣 申请(专利权)人: 常州欣盛半导体技术股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/32;G09G3/36
代理公司: 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 代理人: 朱丽莎
地址: 213000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 驱动 电路 包含 晶片
【权利要求书】:

1.一种闸极驱动电路,包含:

一低压电路,输出一第一讯号,且所述第一讯号的电压范围为从接地电压至操作电压;所述低压电路包含一双向移位暂存器及一输出控制器;

一高压电路,接收所述第一讯号,且将所述第一讯号转换成一闸极驱动讯号,所述高压电路包含一位准转换器及一输出缓冲器;其中,所述高压电路及所述低压电路的P型金氧半场效电晶体包含一共用N型井,且所述共用N型井的电压为所述操作电压。

2.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述位准转换器将所述第一讯号的电压范围从所述接地电压至所述操作电压,转换成一低驱动电压至一高驱动电压。

3.如权利要求2所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述位准转换器进一步包含:

一第一级转换电路,将所述第一讯号的电压范围从所述接地电压至所述操作电压,转换成所述低驱动电压至所述操作电压,以产生一第二讯号;以及

一第二级转换电路,将所述第二讯号的电压范围从所述低驱动电压至所述操作电压,转换成所述低驱动电压至所述高驱动电压,以产生所述闸极驱动讯号。

4.如权利要求3所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述第一级转换电路包含:

一第一P型金氧半场效电晶体,具有一第一漏极端、一第一基极端、一第一闸极端及一第一源极端,其中,所述第一源极端连接所述第一基极端,且所述第一闸极端、所述第一源极端及所述第一基极端接收所述操作电压;

一第二P型金氧半场效电晶体,具有一第二漏极端、一第二基极端、一第二闸极端及一第二源极端,其中,所述第二源极端连接所述第二基极端,且所述第二闸极端、所述第二漏极端及所述第二基极端接收所述操作电压;

一第一N型金氧半场效电晶体,具有一第三漏极端、一第三基极端、一第三闸极端及一第三源极端,其中,所述第三源极端连接所述第三基极端,且接收所述低驱动电压,其中,所述第三漏极端连接所述第一漏极端,且所述第三漏极端及所述第一漏极端之间具有一第一节点;以及

一第二N型金氧半场效电晶体,具有一第四漏极端、一第四基极端、一第四闸极端及一第四源极端,其中,所述第四源极端连接所述第四基极端,且接收所述低驱动电压,其中,所述第四漏极端连接所述第二漏极端,且所述第四漏极端及所述第二漏极端之间具有一第二节点,其中,所述第四闸极端连接至所述第一节点,所述第三闸极端连接至所述第二节点,所述第二节点之讯号为所述第二讯号。

5.如权利要求4所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述第二级转换电路包含:

一第三P型金氧半场效电晶体,具有一第五漏极端、一第五基极端、一第五闸极端及一第五源极端,其中,所述第五源极端连接所述第五基极端,且接收所述高驱动电压;

一第四P型金氧半场效电晶体,具有一第六漏极端、一第六基极端、一第六闸极端及一第六源极端,其中,所述第六源极端连接所述第六基极端,且接收所述高驱动电压;

一第三N型金氧半场效电晶体,具有一第七漏极端、一第七基极端、一第七闸极端及一第七源极端,其中,所述第七闸极端接收所述第二讯号,其中,所述第七源极端连接所述第七基极端,且接收所述低驱动电压,其中,所述第七漏极端连接所述第五漏极端,且所述第七漏极端及所述第五漏极端之间具有一第三节点,所述第三节点连接至第六闸极端;以及

一第四N型金氧半场效电晶体,具有一第八漏极端、一第八基极端、一第八闸极端及一第八源极端,其中,所述第八闸极端连接至所述第一节点,其中,所述第八源极端连接所述第八基极端,且接收所述低驱动电压,其中,所述第八漏极端连接所述第六漏极端,且所述第八漏极端及所述第六漏极端之间具有一第四节点,其中所述第四节点连接至第五闸极端,且所述第四节点的讯号为所述闸极驱动讯号。

6.如权利要求2所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述低驱动电压为一负值电压。

7.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述双向移位暂存器接收一时脉讯号及一启动讯号。

8.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述输出控制器接收一使能讯号,以输出所述第一讯号。

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