[发明专利]一种半镭法制备软硬结合板的工艺在审
| 申请号： | 202111239954.4 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113905544A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 石可义 | 申请（专利权）人： | 恒赫鼎富（苏州）电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215128 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 法制 软硬 结合 工艺 | ||
1.一种半镭法制备软硬结合板的工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1.准备单面FR4覆铜板；同时准备裸露出软板区的纯胶(30)；准备软板(20)，并在软板(20)的两面制备出内层线路(21)并贴好覆盖膜(22)；
S2.基于步骤S1，在去除一面覆铜后的FR4覆铜板的FR4基板(10)裸露面沿软硬交接线半镭出FR4基板(10)一半厚度的内半切缝(101)；
S3.基于步骤S2，将FR4覆铜板、纯胶(30)、软板(20)、纯胶(30)、FR4覆铜板依次叠放，其中，FR4基板(10)的裸露面对应纯胶(30)；
S4.基于步骤S3，将叠放后的FR4覆铜板、纯胶(30)、软板(20)、纯胶(30)、FR4覆铜板进行传压贴合；贴合后进行制备外层线路(11’)之前的工序；
S5.基于步骤S4，在两面FR4覆铜板的纯铜(11)上制备出外层线路(11’)并裸露出对应软硬交接线及内半切缝(101)的FR4基板(10)另一面半镭区域，且半镭区域同时跨越软板区及硬板区；
S6.基于步骤S5，对应半镭区域，在FR4基板(10)另一面半镭出FR4基板(10)一半厚度的外半切缝(102)，且内半切缝(101)与外半切缝(102)沿软硬交接线对齐形成撕裂缝；
S7.基于步骤S6，沿撕裂缝将对应软板区的FR4基板(10)及纯铜(11)撕除并露出贴有覆盖膜(22)的软板(20)；
S8.基于步骤S7进行后续制程工序。
2.根据权利要求1所述的一种半镭法制备软硬结合板的工艺，其特征在于，步骤S1中，单面FR4覆铜板通过将双面FR4覆铜板的其中一面覆铜蚀刻掉而形成。
3.根据权利要求1所述的一种半镭法制备软硬结合板的工艺，其特征在于，步骤S1中，裸露出软板区的纯胶(30)是将整版的纯胶(30)沿软硬交接线将对应软板区的待挖除胶(31)挖掉而形成。
4.根据权利要求1所述的一种半镭法制备软硬结合板的工艺，其特征在于，步骤S2中，内半切缝(101)呈外宽内尖的锥形，且最大宽度为50-120μm。
5.根据权利要求1所述的一种半镭法制备软硬结合板的工艺，其特征在于，步骤S2中，外半切缝(102)呈外宽内尖的锥形，且最大宽度为50-120μm。
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