[发明专利]一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构有效
| 申请号： | 202111240055.6 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114024514B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 何飞;王政;谢倩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F3/195;H03G3/30 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 串联 有损 嵌入式 网络 中和 放大器 结构 | ||
1.一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构，包括：带串联型有损嵌入式网络的共源放大器、Y型LLREN与Z型LLREN；其特征在于，所述带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由晶体管M1、电阻Rs与90°传输线构成，所述电阻Rs的一端连接晶体管M1的源极、另一端接地，90°传输线一端连接晶体管M1的源极、另一端接地；所述Y型LLREN连接于共源放大器的输入与输出之间，所述Z型LLREN的连接于电阻Rs与地之间。
2.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述共源放大器的z参数满足：Re[Z11]+Re[Z22]-Re[Z12]-Re[Z21]＜0。
3.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述电阻Rs的取值范围为：
其中，Z11、Z12、Z21、Z22分别表示共源放大器的二端口网络的Z参数矩阵中的各项。
4.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述过中和化放大器结构中，输入信号Vin通过隔直电容C1进入到晶体管M1的栅极，从晶体管M1的漏极输出并经过隔直电容C2得到输出信号；电源电压VDD通过扼流电感L2给晶体管M1的漏极供电，偏置电压Vbias通过扼流电感L1给晶体管M1的栅极供电。
5.按权利要求1所述过中和化放大器结构，其特征在于，所述Z型LLREN采用电容Cz，所述Y型LLREN采用串联的电感Ly与电容Cy、电感Ly另一端接放大器的输入、电容Cy另一端接放大器的输出。
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