[发明专利]电镀种晶层建成和修复在审
申请号: | 202111240314.5 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN114481240A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 马文·L·伯恩特;詹姆斯·C·伯纳姆;罗伯特·米科拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C25D5/18 | 分类号: | C25D5/18;C25D21/14;C25D21/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电镀 种晶层 建成 修复 | ||
1.一种电镀方法,所述方法包括以下步骤:
将来自电源的电流传送流过电镀腔室的镀敷浴槽达第一时间周期,其中所传送的电流包括占空因数小于或者大约是50%的脉冲电流;
在所述镀敷浴槽内将第一数量的金属镀敷在基板上,其中所述基板界定过孔,所述过孔在所述基板内;
在所述第一时间周期之后,将所述电源转变为连续DC电流传送达第二时间周期;和
将第二数量的金属镀敷在所述基板上。
2.如权利要求1所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间传送的电流的特征在于小于或者大约是1000Hz的工作频率。
3.如权利要求1所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间的平均电流密度小于或者大约是3mA/cm2。
4.如权利要求3所述的电镀方法,其中在所述第二时间周期期间的平均电流密度大于或者等于在所述第一时间周期期间的平均电流密度。
5.如权利要求4所述的电镀方法,其中在所述第二时间周期期间的峰值电流小于或者大约是2安培。
6.如权利要求5所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间的峰值电流大于或者大约是2安培。
7.如权利要求1所述的电镀方法,其中,在所述第二时间周期期间,平均电流密度随着时间的推移而增大。
8.如权利要求1所述的电镀方法,其中界定在所述基板内的所述过孔的特征在于大于或者大约是10μm的深度。
9.如权利要求1所述的电镀方法,所述方法进一步包括:
沿着在所述基板内界定的所述过孔的壁而形成的阻挡层。
10.如权利要求9所述的电镀方法,其中所述阻挡层包括钛或钽中的一种或多种,并且其中所沉积的所述金属包括铜。
11.一种电镀方法,所述方法包括以下步骤:
将来自电源的电流传送流过电镀腔室的镀敷浴槽达第一时间周期,其中所述电源以小于或者大约是750Hz的频率在所述第一时间周期期间工作于脉冲DC传送;
在所述镀敷浴槽内将第一数量的铜镀敷在基板上;
在所述第一时间周期之后,将所述电源转变为连续DC电流传送达第二时间周期;和
将第二数量的铜镀敷在所述基板上。
12.如权利要求11所述的电镀方法,其中每个脉冲在所述第一时间周期期间的接通时间小于或者大约是100ms。
13.如权利要求11所述的电镀方法,其中,在所述第一时间周期期间,所述电源工作于小于或者大约是20%的占空因数。
14.如权利要求11所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间的平均电流密度小于在所述第二时间周期期间的平均电流密度。
15.如权利要求11所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间的峰值电流密度大于在所述第二时间周期期间的峰值电流密度。
16.如权利要求15所述的电镀方法,其中在所述第一时间周期期间的所述峰值电流密度大于或者大约是在所述第二时间周期期间的所述峰值电流密度的两倍。
17.如权利要求11所述的电镀方法,其中所述基板界定过孔,所述过孔的特征在于大于或者大约是10的深宽比。
18.如权利要求11所述的电镀方法,其中所述过孔布满(line with)阻挡层和铜的种晶层。
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