[发明专利]一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路

权利要求书

1.一种高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，包括：

放大整形电路，对输入的差分信号的预放大和静态工作点调节；

镜像电路，将经过所述放大整形电路的差分信号镜像为两对差分信号；

乘法器，将输入的两对差分信号做乘法并输出；

比较器，将乘法器输出的信号进行对比；

带隙基准源电路，为整个输入信号检测电路提供参考电压；

所述放大整形电路包括预放大电路和电平移位电路；其中，

所述预放大电路包括电阻R11～R13、NMOS管MN11和MN12、三极管Q11～Q13、两个电容，NMOS管MN11的源端接三极管Q11的集电极，漏端通过电阻R11接VDD，栅端接NMOS管MN12的漏端；NMOS管MN12的源端接三极管Q12的集电极，漏端通过电阻R12接VDD，栅端接NMOS管MN11的漏端；NMOS管MN11的漏端通过一个电容接地，NMOS管MN12的漏端通过另一个电容接地；

三极管Q11的基极接差分输入信号VIP，集电极接NMOS管MN11的源端，发射极接三极管Q13的集电极；三极管Q12的基极接差分输入信号VIN，集电极接NMOS管MN12的源端，发射极接三极管Q3的集电极；三极管Q13的基极接参考电压Vref1，发射极通过电阻R13接地；

电平移位电路包括三极管Q14～Q17、电阻R14和R15；三极管Q14和Q15的集电极均接VDD，发射极分别接Q16的集电极和Q17的集电极，基极分别接预放大器电路的差分输出信号QN和QP；

三极管Q16和Q17的基极均接参考电压Vref1，发射极分别通过电阻R14和电阻R15接地。

2.如权利要求1所述的高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，所述镜像电路包括PMOS管MP21～MP24、NMOS管MN21～MN25、三极管Q21～Q29、电阻R21和R22；

PMOS管MP21～MP24的源端均接VDD，栅端均接参考电压Vref2，漏端分别接三极管Q21～Q24的集电极，三极管Q21～Q24的发射极均接三极管Q29的集电极，三极管Q21和Q22的基极均接电平移位电路的输出信号MN，三极管Q23和Q24的基极均接电平移位电路的输出信号MP；三极管Q29的基极接参考电压Vref4，发射极通过电阻R21接地GND；

NMOS管MN21和MN22的源端分别接三极管Q25和Q26的集电极，栅端共同连接参考电压Vref3，三极管Q25和Q26的基极分别接其自身集电极，发射极共同通过电阻R22接地GND；

NMOS管MN23和MN24的源端分别接三极管Q27和Q28的集电极，栅端共同连接参考电压Vref3，三极管Q27和Q28的基极分别接其自身集电极，发射极接NMOS管MN25的漏端，NMOS管MN25的栅端接参考电压Vref5，源端接地GND；

NMOS管MN21和MN22的漏端分别接PMOS管MP21和MP23的漏端，NMOS管MN23和MN24的漏端分别接PMOS管MP22和MP24的漏端。

3.如权利要求2所述的高速率宽输入摆幅的输入信号检测电路，其特征在于，所述乘法器包括PMOS管MP31～MP34、三极管Q31～Q36和电阻R31～R32；

PMOS管MP31～MP34的源端接VDD，PMOS管MP31和MP32的漏端接MP33的栅端，PMOS管MP33和MP34的漏端接MP32的栅端；

三极管Q31的集电极接PMOS管MP31和MP32的漏端，三极管Q32的集电极接PMOS管MP33和MP34的漏端，三极管Q31和Q32的发射极均接三极管Q35的集电极，三极管Q35的发射极接电阻R31和R32的第一端；

三极管Q33的集电极接PMOS管MP31和MP32的漏端，三极管Q34的集电极接PMOS管MP33和MP34的漏端，三极管Q33和Q34的发射极均接三极管Q36的集电极，三极管Q36的发射极接电阻R31和R32的第一端，三极管Q31和Q33的基极连接所述NMOS管MN23的源端，三极管Q32和Q34的基极连接所述NMOS管MN24的源端，三极管Q35的基极连接所述NMOS管MN21的源端，三极管Q36的基极连接所述NMOS管MN22的源端；

电阻R31和电阻R32的第二端均接地GND。