[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111243099.4 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN114023792A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 张伟彬;刘红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,
遮蔽层,设置在所述基板的一侧;
半导体层,设置在所述遮蔽层远离所述基板的一侧,所述遮蔽层与所述半导体层至少部分重叠设置;
第一栅极层,设置在所述半导体层远离所述基板的一侧,所述第一栅极层与所述半导体层至少部分重叠设置,且与所述遮蔽层电连接。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括驱动电路,每个所述驱动电路包括多个薄膜晶体管,各所述多个薄膜晶体管包括:在所述半导体层对应设置的半导体部,至少部分所述薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层重叠设置。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,每个所述驱动电路包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层重叠设置,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的晶体管类型不同。
4.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管为低温多晶氧化物薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层不重叠设置。
5.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述半导体部包括与所述第一栅极层重叠设置的沟道区,至少部分所述薄膜晶体管的沟道区与所述遮蔽层重叠设置。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述遮蔽层与所述半导体层重叠的部分与所述第一栅极层与所述半导体层重叠的部分具有相同的形状。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述遮蔽层与所述第一栅极层具有相同的形状。
8.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置更包括缓冲层以及多个功能层,所述缓冲层设置于所述基板上并覆盖所述遮蔽层;所述半导体层设置于所述缓冲层上,多个功能层设置于所述缓冲层上且覆盖所述半导体层。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,连接孔定义于至少一个所述多个功能层及所述缓冲层中,所述第一栅极层透过所述连接孔与所述遮蔽层连接。
10.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述多个功能层包括:
第一栅极绝缘层,设置于所述缓冲层上并覆盖所述半导体层;
所述第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层上,并与遮蔽层相连接;
第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极绝缘层上并覆盖所述第一栅极层;
第二栅极层,设置于所述第二栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述第二栅极绝缘层上并覆盖所述第二栅极层;
电极层,设置于所述层间绝缘层上并与所述半导体层相连接;
平坦层,设置于所述层间绝缘层上并覆盖所述电极层;
阳极层,设置于所述平坦层上并与所述电极层相连接;
像素定义层,设置于所述平坦层上,并覆盖部份所述阳极层;
多个间隔柱,设置于所述像素定义层上,
其中所述薄膜晶体管包括所述第一栅极层、所述第二栅极层及所述电极层,所述电极层包括源极及漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的