[发明专利]包括分色透镜阵列的图像传感器和包括该图像传感器的电子装置在审
申请号: | 202111244057.2 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN114447009A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 尹鉐皓;卢淑英;李相润 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 分色 透镜 阵列 图像传感器 电子 装置 | ||
1.一种图像传感器,包括:
传感器基板,包括被配置为感测第一波长光的第一像素和被配置为感测第二波长光的第二像素;以及
分色透镜阵列,设置在所述传感器基板上并且包括第一波长光会聚区域,所述第一波长光会聚区域中的来自入射光的所述第一波长光会聚到所述第一像素上,
其中,所述第一波长光会聚区域的面积大于所述第一像素的面积,并且
其中,所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离小于所述第一波长光会聚区域对于所述第一波长光的焦距。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离是所述第一波长光会聚区域对于所述第一波长光的焦距的30%至70%。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离是所述第一波长光会聚区域对于所述第一波长光的焦距的40%至60%。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括设置在所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的间隔层。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,
其中,所述第一波长光会聚区域的焦距由以下等式表示:
其中p表示所述传感器基板的像素间距,n表示所述间隔层的折射率,并且λ0表示由所述分色透镜阵列分离的光的波段的参考波长。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述第一像素包括被配置为独立地感测所述第一波长光的多个光敏单元。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,穿过所述第一波长光会聚区域的所述第一波长光具有随着远离所述第一波长光会聚区域的中心而减小的相位分布。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述第一波长光会聚区域的面积是所述第一像素的面积的1.2倍至4倍。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述传感器基板还包括被配置为感测第三波长光的第三像素,
所述分色透镜阵列包括:第二波长光会聚区域,所述第二波长光会聚区域中的来自入射光的所述第二波长光会聚到所述第二像素上;以及第三波长光会聚区域,所述第三波长光会聚区域中的来自入射光的所述第三波长光会聚到所述第三像素上,并且
所述第二波长光会聚区域的面积大于所述第二像素的面积并且所述第三波长光会聚区域的面积大于所述第三像素的面积。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,
其中,所述第一波长光会聚区域与所述第二波长光会聚区域和所述第三波长光会聚区域部分地重叠。
11.根据权利要求1所述的图像传感器,
其中,所述分色透镜阵列包括:
第一像素对应区域,在与所述第一像素相对应的位置;以及
第二像素对应区域,在与所述第二像素相对应的位置,并且
其中,穿过所述第一像素对应区域的中心的所述第一波长光的相位与穿过所述第二像素对应区域的所述第一波长光的相位之间的差是0.9π至1.1π。
12.一种图像传感器,包括:
传感器基板,包括被配置为感测第一波长光的第一像素和被配置为感测第二波长光的第二像素;以及
分色透镜阵列,设置在所述传感器基板上并且包括第一波长光会聚区域,所述第一波长光会聚区域中的来自入射光的所述第一波长光会聚到所述第一像素上,所述第一波长光会聚区域具有比所述第一像素的面积大的面积,
其中,所述传感器基板的像素间距是0.9μm至1.3μm,并且
其中,所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离是所述传感器基板的所述像素间距的110%至180%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的